SAMSUNG/三星內存芯片K4F8E3S4HD-MGCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-25~+85°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-MGCJ 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-25~+85°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E304HB-MGCJ 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。16GB容量 速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-25~+85°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-THCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-TFCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-THCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-TFCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-THCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-TFCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F2E3S4HA-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F2E3S4HA-THCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E8E324ED-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E6E304ED-EGCG 容量 16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產品，適合移動設備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產品，適合移動設備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產品，適合移動設備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產品，適合移動設備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口