良率未達標，三星無期限推遲HBM5E量產

三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）由于良率未達標，短期內可能無法投入量產，從而影響其面向下一代HBM內存的推進節奏。

據韓國媒體報道，由于基于10nm工藝的1d（D1d）DRAM良率不理想，三星可能暫緩其下一代HBM5E產品的大規模生產。盡管該DRAM技術此前已獲得預生產批準（PRA），但由于良率低于目標水平，公司對試產乃至量產的投資回報率（ROI）產生擔憂。

一位接近三星內部的人士表示：“三星電子計劃在D1d良率達到目標之前無限期推遲量產，目前尚未確定重啟時間。公司正通過全面重新審視工藝路線圖來提升良率。”

D1d DRAM技術在三星未來HBM路線圖中至關重要，預計將用于其第九代HBM產品HBM5E。

目前，1c DRAM已應用于包括HBM4、HBM4E和HBM5在內的三代HBM產品。其中，HBM4預計將在今年晚些時候推出，將用于英偉達的Vera Rubin平臺以及AMD的MI400平臺；HBM4E則可能用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及定制版本預計將應用于英偉達 Feynman系列及其他競品方案。

此前有報道稱，三星正在大幅壓縮HBM的研發周期，盡管這有助于更快推出新產品，但并不意味著能夠快速實現量產。

與此同時，三星也在加大產能布局，在韓國溫陽建設一座大型芯片工廠。該設施面積相當于四個足球場，將用于生產包括HBM在內的下一代DRAM產品，涵蓋封裝、測試、物流及質量控制等關鍵環節，以支撐長期穩定生產。

在HBM賽道上，三星正與SK海力士展開激烈競爭。后者已在D1d DRAM技術上實現良率突破。（校對/趙月）