隨著新能源、電動(dòng)汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高科技產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,傳統(tǒng)硅材料正逐漸遇到瓶頸。第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅和氮化鎵正成為焦點(diǎn)。它們以更高的電壓承受能力、更低的能耗和更強(qiáng)的散熱性能,被認(rèn)為是這一代功率器件和射頻器件的核心材料。
先說(shuō)說(shuō)什么是第三代半導(dǎo)體
半導(dǎo)體材料按照能帶寬度大致分為三代:第一代:硅、鍺,主導(dǎo)傳統(tǒng)IC、微處理器、電路等;第二代:砷化鎵、磷化銦,主要用于射頻和光通信;第三代:碳化硅與氮化鎵,屬于寬禁帶半導(dǎo)體。
相比硅,SiC 和 GaN 具有更大的帶隙、更高的擊穿電壓、更快的開關(guān)速度、更小的導(dǎo)通電阻,尤其適用于高頻、高壓、高溫環(huán)境。是功率電子和射頻通信的理想材料。