4月8日，全球存儲巨頭SK海力士（SK hynix）宣布，已開始向客戶批量供應(yīng)其最新款消費級固態(tài)硬盤（cSSD）——PQC21。這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于321層四層單元（QLC）NAND閃存技術(shù)的終端存儲解決方案，標(biāo)志著SK海力士在AI PC存儲領(lǐng)域的布局邁入實質(zhì)性階段。

根據(jù)官方消息，SK海力士已于本月率先向戴爾啟動批量供貨，并計劃逐步拓展與其他全球頭部客戶的合作。

PQC21的核心在于其將321層超高堆疊技術(shù)與QLC架構(gòu)相結(jié)合。QLC NAND閃存每個存儲單元可存儲4位數(shù)據(jù)，相比傳統(tǒng)的單層單元（SLC）和三層單元（TLC），在相同物理尺寸下能實現(xiàn)更高的存儲密度和容量效率。

SK海力士方面表示：“供應(yīng)基于321層QLC的cSSD將成為SK海力士在AI PC市場展示NAND解決方案能力的一個里程碑。我們將繼續(xù)通過技術(shù)進(jìn)步引領(lǐng)高性能NAND解決方案市場。”

這款產(chǎn)品采用緊湊的M.2 2230外形尺寸，提供1TB和2TB兩種容量選擇，適用于筆記本電腦和迷你主機等空間受限的設(shè)備。其內(nèi)部通過321層4D結(jié)構(gòu)堆疊了數(shù)千億個QLC單元，并采用了PUC（Periphery Under Cell）架構(gòu)，將外圍電路置于存儲單元陣列下方，有效縮小了芯片體積。

此外，PQC21還應(yīng)用了DP（Die Packaging）芯片封裝技術(shù)，將多個321層NAND芯片集成到單一芯片中，進(jìn)一步提升了單位面積的存儲密度。

盡管QLC技術(shù)在存儲密度上優(yōu)勢顯著，但其寫入速度和耐用性一直被認(rèn)為落后于TLC。為解決這一行業(yè)共性難題，SK海力士為PQC21配備了SLC緩存技術(shù)。

該技術(shù)將數(shù)據(jù)先臨時寫入速度更快的模擬SLC（pSLC）緩存區(qū)域，待系統(tǒng)空閑時再遷移至QLC主存儲區(qū)，從而有效提升寫入性能，確保在AI PC等高負(fù)載場景下的流暢體驗。

SK海力士此次發(fā)力QLC消費級固態(tài)硬盤，旨在搶占下一代AI PC市場的存儲主導(dǎo)權(quán)。AI PC需要在本地運行大型AI模型，對存儲容量和數(shù)據(jù)處理速度提出了比傳統(tǒng)PC更高的要求。

市場研究機構(gòu)IDC的預(yù)測數(shù)據(jù)也印證了這一趨勢。IDC預(yù)計，QLC NAND閃存在全球cSSD市場的份額將從2025年的22%顯著增長到2027年的61%，取代TLC成為市場主流。

早在2025年8月，SK海力士便已宣布完成321層2Tb QLC NAND閃存的開發(fā)并投入量產(chǎn)，成為全球首個實現(xiàn)超過300層QLC技術(shù)商用的企業(yè)。