三星電子已在其位于中國西安的工廠開始量產(chǎn)第八代236層NAND閃存（V8），這標志著該公司向更高層數(shù)存儲器轉(zhuǎn)型邁出關(guān)鍵一步，以滿足人工智能（AI）應(yīng)用日益增長的需求。

三星已使用236層產(chǎn)品取代原有的第六代128層NAND閃存（V6），并正在逐步提高產(chǎn)量。此次轉(zhuǎn)型反映了老一代NAND產(chǎn)品被逐步淘汰。

通過堆疊存儲單元實現(xiàn)更高的層數(shù)，可以提高存儲密度和效率。三星此前一直在西安工廠生產(chǎn)128層NAND閃存，但隨著市場對舊產(chǎn)品的需求疲軟，該公司開始向新技術(shù)轉(zhuǎn)型。

三星計劃在2026年之前完成西安第二工廠向第九代286層NAND閃存（V9）的過渡，并開始全面量產(chǎn)。該公司還在其韓國工廠準備生產(chǎn)400層以上的下一代NAND閃存（V10）技術(shù)。

據(jù)G-enews援引監(jiān)管文件和行業(yè)數(shù)據(jù)報道，三星2025年在西安NAND閃存生產(chǎn)線投資4654億韓元（約合3.2億美元），較上年增長67.5%。該工廠的產(chǎn)能約占三星NAND閃存總產(chǎn)量的40%，也是其唯一的海外NAND閃存生產(chǎn)基地。

業(yè)內(nèi)人士表示，供應(yīng)趨緊，一些估計表明DRAM和NAND閃存的計劃產(chǎn)量已基本售罄。瑞銀預(yù)測，在AI相關(guān)需求的推動下，到2026年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模可能超過1萬億美元。

三星加速轉(zhuǎn)型也反映了地緣政治和供應(yīng)鏈方面的制約因素。業(yè)內(nèi)人士表示，美國收緊對中國先進半導(dǎo)體設(shè)備出口的限制，使得將尖端設(shè)備引入中國變得更加復(fù)雜。

盡管三星擁有“認證最終用戶”（VEU）資格，在設(shè)備出貨方面享有一定的靈活性，但現(xiàn)在必須每年重新獲得審批，這增加了運營的不確定性。

與此同時，用于AI基礎(chǔ)設(shè)施的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）需求持續(xù)增長，推動了對更高性能NAND閃存的需求。（校對/趙月）