5月29日，韓國科技巨頭三星電子（Samsung Electronics）正式宣布，已向全球主要客戶交付業(yè)內(nèi)首款12層HBM4E（第四代高帶寬內(nèi)存增強(qiáng)版）工程樣品。在HBM4量產(chǎn)僅數(shù)月后，三星再次刷新了AI存儲(chǔ)芯片的迭代速度，不僅將單堆棧內(nèi)存帶寬推至3.6TB/s，更標(biāo)志著全球AI算力軍備競賽的核心戰(zhàn)場，已全面轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)性能與容量的極限突破。

此次三星交付的12層HBM4E樣品在多項(xiàng)核心指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)了代際跨越。其引腳傳輸速度穩(wěn)定在14Gbps，并可擴(kuò)展至16Gbps，整體性能較上一代HBM4提升超過20%。在容量方面，單堆棧內(nèi)存容量高達(dá)48GB，較前代產(chǎn)品增加了30%以上，能夠?yàn)榇笳Z言模型（LLM）訓(xùn)練及下一代AI系統(tǒng)提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)吞吐保障。

除了速度與容量的提升，HBM4E在能效與散熱方面也取得了顯著進(jìn)步。通過先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)和優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，其能效比上一代提升16%，熱阻特性改善14%以上。這一改進(jìn)將極大緩解高負(fù)載數(shù)據(jù)中心面臨的散熱壓力，提升系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性并降低長期能耗。

在工藝路徑上，三星采取了穩(wěn)健且高效的策略。HBM4E沿用了已在HBM4上驗(yàn)證的成熟工藝組合，包括第六代10納米級(jí)DRAM（1c）制程與三星自研的4納米邏輯基底芯片。三星存儲(chǔ)開發(fā)部門執(zhí)行副總裁Sang Joon Hwang表示：“HBM4E再次體現(xiàn)了三星的技術(shù)差異化優(yōu)勢，這一組合有助于提升先進(jìn)工藝的穩(wěn)定性，并兼顧良率與量產(chǎn)能力。”

HBM4E的率先出樣，是三星在AI存儲(chǔ)領(lǐng)域加速追趕市場領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士的關(guān)鍵一步。目前，全球HBM市場呈現(xiàn)出三星、SK海力士與美光科技“三足鼎立”的競爭格局。

作為當(dāng)前的市場主導(dǎo)者，SK海力士計(jì)劃在2026年下半年提供HBM4E樣品，并預(yù)計(jì)于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其基礎(chǔ)裸片將由臺(tái)積電以3納米工藝代工。而美光科技的HBM4E開發(fā)進(jìn)展順利，同樣預(yù)計(jì)在2027年啟動(dòng)量產(chǎn)。相比之下，三星通過壓縮研發(fā)周期，在時(shí)間線上搶占了先機(jī)，首批樣品已交付給包括英偉達(dá)、AMD、谷歌在內(nèi)的頭部AI企業(yè)。

據(jù)此前信息，為爭奪市場份額，三星已采取激進(jìn)策略，將70%-90%的先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)，并成功拿下了英偉達(dá)約30%的HBM4訂單，打破了SK海力士此前的獨(dú)家供應(yīng)局面。市場分析機(jī)構(gòu)瑞銀預(yù)測，到2027年，三星有望在HBM比特出貨量上與SK海力士并駕齊驅(qū)，各自占據(jù)約40%的市場份額，形成穩(wěn)固的雙寡頭格局。

當(dāng)前，通用DRAM價(jià)格的暴漲進(jìn)一步增強(qiáng)了HBM廠商的議價(jià)能力。三星和SK海力士無需單純依賴HBM沖量，得以在價(jià)格談判中保持強(qiáng)硬立場。目前三星HBM4的談判價(jià)格已在700美元左右，較上一代高出20%至30%。

存儲(chǔ)價(jià)格的全線走高，為韓國存儲(chǔ)廠商帶來了全面的盈利改善預(yù)期。摩根士丹利預(yù)測，三星電子今年全年?duì)I業(yè)利潤將達(dá)約245.7萬億韓元，同比增幅高達(dá)464%；SK海力士全年?duì)I業(yè)利潤預(yù)計(jì)約179.4萬億韓元，同比增幅約280%。在AI需求的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)下，韓國存儲(chǔ)雙雄正迎來歷史上最強(qiáng)的盈利周期。