近日，瀚薪科技宣布在第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域再獲突破，成功取得兩項(xiàng)國家專利授權(quán)，分別為“一種SiC半導(dǎo)體組件的制作方法”（專利號(hào)：ZL2021110482707.0）與“頂部散熱封裝結(jié)構(gòu)”（專利號(hào)：ZL202530634689.2），進(jìn)一步夯實(shí)公司在SiC功率器件領(lǐng)域的技術(shù)壁壘。

本次授權(quán)的兩項(xiàng)專利均聚焦SiC半導(dǎo)體的關(guān)鍵制造與封裝環(huán)節(jié)。其中，“SiC半導(dǎo)體組件的制作方法”涉及器件制備的核心工藝優(yōu)化，有望提升產(chǎn)品良率與性能一致性；“頂部散熱封裝結(jié)構(gòu)”則針對(duì)功率器件高散熱需求，通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新降低熱阻，提升器件在高功率場(chǎng)景下的可靠性與使用壽命。

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，SiC憑借高耐壓、低損耗、耐高溫等特性，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求持續(xù)爆發(fā)。瀚薪科技此次專利突破，正是瞄準(zhǔn)行業(yè)痛點(diǎn)，通過工藝與封裝技術(shù)創(chuàng)新，提升產(chǎn)品競(jìng)爭力。

瀚薪科技長期深耕SiC功率器件研發(fā)與制造，此前已在SiC MOSFET、模塊封裝等領(lǐng)域形成多項(xiàng)核心專利。此次新增專利將進(jìn)一步完善公司的技術(shù)布局，為后續(xù)產(chǎn)品迭代與規(guī)模化量產(chǎn)提供支撐，助力公司在國內(nèi)SiC功率器件賽道構(gòu)建先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

當(dāng)前，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體正處于快速發(fā)展期，技術(shù)突破與專利積累成為企業(yè)競(jìng)爭的關(guān)鍵。瀚薪科技持續(xù)加碼核心技術(shù)研發(fā)，不僅強(qiáng)化了自身在SiC領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控注入了新動(dòng)能。未來，公司將繼續(xù)圍繞SiC功率器件的工藝優(yōu)化與性能提升開展研發(fā)，推動(dòng)國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)邁向更高水平。

（校對(duì)/李正操）