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算力引爆供需博弈 高盛:存儲器超級周期預計持續至2027年

2026-04-15 來源:鉅亨網
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關鍵詞: 存儲器 供需博弈 存儲周期 HBM

據格隆匯報導,全球科技巨頭爭奪算力的背后,存儲器芯片正上演一場史詩級的供需博弈。由人工智慧 (AI) 算力需求引爆的存儲器芯片超級周期,正以前所未有的強度席卷全球產業鏈。

高盛也在近期發布報告,表示全球存儲器正面臨史上最嚴重的短缺,全球產能至少已經鎖死至 2027 年。

價格狂飆與供需失衡

存儲器芯片市場的價格曲線正呈現垂直上沖態勢。DDR5 一季度的實際漲幅比市場預期高出 23 個百分點,且研究機構預測二季度將維持 37% 的高增長。隨著 DDR5 成為高端數據中心與 AI 服務器的標配,存儲器芯片正正式步入“奢侈品”行列。

這種價格暴漲源于供應短缺的自我強化:未能滿足的需求會自動“滾動”至后續季度,進一步加劇緊張局面,傳統的行業周期律已然失效。

長期協議改寫游戲規則

面對不確定的供應環境,超大規模云服務商正與供應商簽署 3 到 5 年的長期協議 (LTA),計劃鎖定 50% 以上的采購量。此舉對采購方而言可確保算力組件供應穩定并平滑價格波動;對供應商如三星、SK 海力士而言,則保障了未來數年的產能與利潤,使其能從追逐短期波動轉向穩定的盈利模式。

HBM:AI 皇冠上的明珠

在這場盛宴中,高帶寬內存 (HBM) 成為巨頭競相爭奪的戰略資源。預計到 2026 年,三星將占據 60% 的 HBM 市場份額,SK 海力士占 30%。為了搶占下代 HBM4 的技術高地,廠商正將產能從 NAND 轉向 DRAM,這也導致了 NAND 閃存供應的“被動式”緊張。

周期延長與潛在隱憂

由英偉達 GPU 等產品驅動的指數級需求,預計將使 DRAM 的上行周期持續至 2027 年第四季度。屆時,儲存市場規模有望沖擊 1.2 兆美元。

然而,繁榮之下仍有隱憂:需求高度集中于少數云巨頭,且 HBM 價格的過快上漲 (2027 年漲幅或達 40%) 可能觸及客戶的可負擔極限。