2025 年，全球半導體行業(yè)在AI 邊緣計算與新能源產(chǎn)業(yè)需求的雙重驅(qū)動下，正式走出 2024 年的行業(yè)低谷，迎來全面復蘇與上行周期。作為國內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，華虹半導體（688347.SH/01347.HK）憑借產(chǎn)能高效釋放與工藝平臺協(xié)同發(fā)力，全年業(yè)績實現(xiàn)穩(wěn)健增長，交出亮眼成績單。

3 月 26 日，華虹半導體發(fā)布 2025 年年度報告。財報數(shù)據(jù)顯示，公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入172.91 億元，同比大幅增長20.18%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 3.77 億元，在行業(yè)復蘇初期保持穩(wěn)健盈利態(tài)勢。

從季度表現(xiàn)來看，2025 年華虹半導體營收呈現(xiàn)清晰的逐季增長趨勢，充分印證行業(yè)復蘇的持續(xù)性與公司經(jīng)營的強勁韌性。其中，第三季度、第四季度分別實現(xiàn)營收 45.66 億元、47.08 億元，連續(xù)兩個季度刷新歷史單季營收紀錄，成為全年業(yè)績增長的核心引擎。

產(chǎn)銷層面，2025 年華虹半導體全年晶圓出貨量（折合 8 英寸）同比增長 18.4%，銷售額同比增長 19.9%；8 英寸與 12 英寸產(chǎn)線平均產(chǎn)能利用率均維持在 100% 以上，滿產(chǎn)滿銷態(tài)勢凸顯。據(jù) 2025 年全球純晶圓代工廠銷售排名，華虹半導體位居全球第五，在中國大陸晶圓代工企業(yè)中位列第二，印證行業(yè)景氣復蘇與公司經(jīng)營質(zhì)量同步提升。

作為公司重要產(chǎn)能增長點，華虹制造（FAB9）項目進展備受關(guān)注。該項目第一階段自 2024 年底啟動風險量產(chǎn)，2025 年進入快速產(chǎn)能爬坡周期，截至年末單月投片量突破 4 萬片，規(guī)模效應(yīng)持續(xù)釋放，直接推動公司 12 英寸營收占比提升至 60%，成為業(yè)績增長的關(guān)鍵驅(qū)動力。目前項目第二階段設(shè)備搬入工作穩(wěn)步推進，規(guī)劃于 2026 年第三季度達成既定產(chǎn)能目標。

FAB9 的順利量產(chǎn)與產(chǎn)能爬坡，不僅進一步強化了華虹半導體在 12 英寸特色工藝賽道的產(chǎn)能與技術(shù)壁壘，也標志著公司“8 英寸 + 12 英寸”雙輪驅(qū)動戰(zhàn)略正式落地，為其在功率器件、模擬電源、非易失性存儲等特色工藝領(lǐng)域持續(xù)拓展市場份額奠定堅實基礎(chǔ)。

特色工藝平臺實現(xiàn)關(guān)鍵突破

2025年，AI端側(cè)及周邊應(yīng)用需求持續(xù)爆發(fā)，新能源與車規(guī)級市場景氣度穩(wěn)步上行，共同構(gòu)成半導體行業(yè)發(fā)展的核心增量驅(qū)動力。多工藝平臺的協(xié)同布局，使華虹半導體全面覆蓋消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、新能源等多元下游領(lǐng)域，市場空間持續(xù)拓展，經(jīng)營抗波動性與發(fā)展韌性不斷增強。

財報顯示，公司布局的嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理、邏輯與射頻等五大特色工藝平臺，在2025年均實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，技術(shù)護城河持續(xù)加固。

其中，表現(xiàn)最為突出的模擬與電源管理平臺，全年銷售收入同比大幅增長42.0%。這一增長主要受益于AI周邊電源應(yīng)用與手機市場的強勁拉動。技術(shù)層面，0.18μm BCD 120V平臺成功開發(fā)，精準對標汽車電子48V系統(tǒng)的高壓應(yīng)用需求；90nm BCD工藝已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)并持續(xù)迭代，多款“BCD+”集成方案已在汽車電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。

獨立式閃存平臺同樣展現(xiàn)出強勁增長勢頭，銷售收入同比增長44.5%，48nm NOR Flash產(chǎn)品出貨占比顯著提升，技術(shù)迭代成果逐步釋放。嵌入式非易失性存儲器平臺方面，受益于消費類與汽車電子需求回升，出貨量與銷售額均實現(xiàn)兩位數(shù)增長。其中，55nm eFlash工藝已進入大規(guī)模量產(chǎn)階段，40nm eFlash COT產(chǎn)品順利邁入風險量產(chǎn)，多個工藝平臺實現(xiàn)車規(guī)級市場批量供貨，契合汽車電子對高可靠性的嚴苛要求。

邏輯與射頻平臺持續(xù)拓寬應(yīng)用邊界，2025年收入同比增長9.5%。40nm超低功耗特色工藝成功量產(chǎn)，面向物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備市場；55/40nm特色工藝及RFCMOS工藝保持穩(wěn)定量產(chǎn)，65nm RF SOI工藝平臺營收穩(wěn)步增長。值得關(guān)注的是，公司開發(fā)的智能手機主攝像頭CIS芯片制造工藝，憑借優(yōu)異的感光性能、低噪點與高動態(tài)范圍特性，為切入移動影像與車載視覺等高端市場奠定了堅實基礎(chǔ)。

功率器件平臺持續(xù)深耕新能源賽道，2025年收入同比增長7.3%。應(yīng)用于電動車主驅(qū)逆變器、風光儲充等領(lǐng)域的1.6μm IGBT工藝產(chǎn)品投片占比快速提升，工藝水平對標國際一線，成為本土供應(yīng)鏈進步的重要支撐。與此同時，公司積極布局化合物半導體，推進功率氮化鎵工藝開發(fā)，為高性能電機驅(qū)動及高壓直流系統(tǒng)等新興市場提前占位。

研發(fā)投入持續(xù)加碼

持續(xù)加碼的研發(fā)投入，構(gòu)成了支撐技術(shù)突破的堅實基礎(chǔ)。2025年，華虹半導體研發(fā)投入達到19.94億元，同比增長21.37%，占營業(yè)收入比重提升至11.53%，連續(xù)多年保持高強度的研發(fā)投入水平。

研發(fā)投入的轉(zhuǎn)化成效顯著。截至2025年底，公司累計獲授權(quán)國內(nèi)外專利4,913項，其中2025年新增發(fā)明專利申請711項，新增授權(quán)專利306項。研發(fā)團隊建設(shè)方面，現(xiàn)有研發(fā)人員1,395人，占公司總?cè)藬?shù)18.29%，其中碩博研究生占比超過77%，人才結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。

在研項目亦有序推進。40納米邏輯與射頻基干平臺已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，超低功耗衍生平臺進入風險量產(chǎn)階段；40納米嵌入式閃存平臺完成工藝固化與可靠性考核，已啟動客戶導入并推進車規(guī)級認證；新一代獨立式閃存工藝實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，存儲單元面積較成熟工藝縮小20%；新一代功率器件平臺已完成650V至1200V多電壓平臺固化，新增800V電壓平臺，多款產(chǎn)品進入風險量產(chǎn)階段。

結(jié)語

放眼長遠，全球半導體產(chǎn)業(yè)上行周期已然穩(wěn)固，AI邊緣計算、車載電子、新能源等核心賽道需求持續(xù)放量，為行業(yè)發(fā)展注入源源不斷的增長動力。華虹半導體手握成熟的特色工藝矩陣、穩(wěn)步釋放的先進產(chǎn)能以及持續(xù)加碼的研發(fā)實力，牢牢把握住行業(yè)復蘇與技術(shù)革新的雙重機遇，發(fā)展動能充足、增長根基扎實。

隨著FAB9項目產(chǎn)能持續(xù)爬坡、各大工藝平臺技術(shù)迭代提速、高端市場份額不斷拓寬，華虹半導體有望徹底釋放經(jīng)營潛力，驅(qū)動營業(yè)收入與盈利水平步入新一輪穩(wěn)步上行通道，在全球晶圓代工賽道上持續(xù)提升核心競爭力，搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展先機。