在人工智能（AI）算力需求爆發的背景下，韓國元器件巨頭三星電機正積極拓展硅電容器（Si-Cap）技術，全面瞄準高增長的AI服務器市場。目前，該公司正與多家全球大型科技公司洽談供貨事宜，目標與村田制作所和臺積電共同躋身主要供應商行列。

近日，三星電機在首爾市中心的太平路大廈舉辦了一場技術研討會，分享了其硅電容器的最新技術及商業化戰略。

三星電機高級副總裁兼硅電容開發組負責人金元基在會上表示：“全球知名的科技巨頭都在重新評估硅電容的應用。由于市場主要由少數供應商主導，三星電機也在積極拓展銷售渠道?！?/span>

三星電機的硅電容器

長期以來，硅電容器市場由村田制作所和臺積電兩大巨頭主導。該行業準入門檻極高，既需要半導體晶圓工藝技術，也需要被動元件方面的專業知識，這限制了供應商的數量。

然而，隨著AI芯片功耗的急劇攀升，對電源穩定性的要求達到了前所未有的高度，為三星電機帶來了破局機會。三星電機已將硅電容器定位為瞄準AI市場的關鍵增長業務。

事實上，三星電機去年已開始向客戶出貨，正式進軍該市場。其主要供應對象包括網絡ASIC供應商Marvell Technology的AI加速器，以及三星電子Exynos 2600移動應用處理器封裝。

據悉，三星電機近期從一家全球大型科技公司獲得了一份價值1.5萬億韓元的供貨合同。這是該公司歷史上最大的單筆訂單，預計相關收入將從2027年開始計入公司盈利。

為了在激烈的競爭中脫穎而出，三星電機提出了一項整體解決方案戰略：將其硅電容器、MLCC和封裝基板業務深度綁定。金元基解釋道，硅電容器通常安裝在封裝基板內部或附近，通過同時供應這兩種產品，三星電機能夠同步設計和優化封裝及元件。他強調，三星電機是目前唯一一家同時運營被動元件和封裝基板業務的企業。

在生產模式上，三星電機采取了以設計為中心的無晶圓廠（Fabless）策略。公司并未建造大規模的生產設施，而是將300毫米晶圓的生產外包給代工廠，元件封裝交由OSAT公司完成，自身則專注于產品設計、測試和質量驗證。

與傳統MLCC通過堆疊多層陶瓷層實現電容不同，硅電容器是在硅晶圓上制造微孔并將電極放置在孔內，這種結構可將厚度壓縮至100微米以下。三星電機的獨特之處在于其商業理念源自DRAM技術。通過將DRAM存儲單元內部的電容器發展為獨立組件，并直接利用縮小DRAM電路線寬積累的精細工藝，成功研發出了硅電容器。這與臺積電基于邏輯工藝的溝槽結構形成了明顯的技術差異。

三星電機預測，硅電容器市場將以超過18%的年均速度增長，應用領域正從移動設備快速擴展至AI服務器、汽車電子、航空航天和光通信等領域。其中，隨著功率密度的增加和封裝集成度的提高，AI服務器正成為最大的需求來源。金元基表示：“隨著半導體性能的提升，電源穩定性的重要性也日益凸顯。硅電容器將在AI服務器和下一代高性能半導體市場中繼續發揮越來越重要的作用。”