國際電子商情9日訊 英偉達與SK海力士的多年技術合作剛剛官宣一天，三星電子便披露了其與英偉達在HBM及晶圓代工領域的合作細節。

據韓媒報道，6月8日，英偉達創始人兼CEO黃仁勛在首爾新羅酒店與三星電子副董事長兼CEO、設備解決方案部負責人全永鉉（Jun Young-hyun）舉行了閉門商務會議。全永鉉在會后的采訪中表示，雙方不僅就短期的HBM4供應進行了深入對話，還廣泛討論了涵蓋HBM4E、HBM5以及下一代芯片代工的長期聯合發展計劃。他強調，三星今年將全力保障HBM4及低功耗內存模組SOCAMM的充足供應。

在晶圓代工領域，三星首次詳細披露了為英偉達提供服務的核心項目。三星目前已是英偉達4nm工藝Groq 3(LP30)LPU芯片的合同制造合作伙伴，雙方正在就下代Groq LPU系列AI加速器芯片的合作進行深入商討。英偉達后續規劃了Rubin世代的LP35 LPU和Feynman世代的LP40 LPU，雙方正在積極探討后續生產合作事宜。此外，三星正在利用其4納米和8納米工藝節點，為英偉達生產自動駕駛芯片及加速器芯片。

英偉達于6月5日確認，SK海力士、三星電子和美光科技均已通過認證，可為英偉達的AI加速器供應HBM4內存。該內存是英偉達下一代人工智能平臺Vera Rubin的關鍵組成部分。英偉達于6月正式宣布Vera Rubin平臺進入全面量產階段，首批產品將在第三季度交付，第四季度啟動大批量產能爬坡。該平臺采用"GPU+LPU"架構，單顆GPU功耗提升至2000W以上，整機柜功耗超過600kW，首次將全液冷作為強制標配，互聯技術從NVLink 5.0升級至NVLink 6.0，存儲方面采用HBM4內存，單GPU顯存容量達到288GB，帶寬為22TB/s。

當被問及是否會簽署正式的長期供貨協議時，全永鉉拒絕透露具體細節，僅強調“我們將繼續專注于自己的工作，稍后會公布結果”，并表示將以實際的HBM和代工業務成果來證明自身的競爭力。他對媒體表示：“我們合作已久，但我認為今天的談話是迄今為止最好的一次。”