6月8日，三星電子副會長兼設備解決方案（DS）事業部負責人全永鉉對外表示，三星與英偉達的合作已遠遠超越高帶寬存儲器（HBM）領域，并全面擴展至核心的晶圓代工業務。

此次表態是在全永鉉與英偉達首席執行官黃仁勛于首爾新羅酒店舉行閉門商務會議后作出的。全永鉉對媒體表示：“我們合作已久，但我認為今天的談話是迄今為止最好的一次?！?/span>

他透露，雙方不僅就短期的HBM4供應進行了深入對話，還廣泛討論了涵蓋HBM4E、HBM5以及下一代芯片代工的長期聯合發展計劃。他強調，三星今年將全力保障HBM4及低功耗內存模組SOCAMM的充足供應，并致力于成為協助英偉達取得成功的最佳合作伙伴。

在此次會晤中，三星首次詳細披露了其在晶圓代工領域為英偉達提供服務的核心項目。據韓媒Sedaily 6月9日報道，兩家企業正在就下代Groq LPU系列AI加速器芯片的合作進行深入商討。

事實上，三星晶圓代工目前已是英偉達4nm工藝Groq 3 (LP30) LPU芯片的合同制造合作伙伴。不僅如此，針對英偉達未來規劃的Rubin世代LP35 LPU和Feynman世代LP40 LPU芯片，雙方也正在積極探討后續的生產合作事宜。

除了AI推理芯片，雙方的代工合作還精準瞄準了快速增長的智能駕駛市場。全永鉉證實，三星目前正在利用其先進的4納米和8納米工藝節點，為英偉達生產自動駕駛芯片及加速器芯片。

這一“雙軌并行”的代工策略，既通過4nm先進制程滿足了高階自動駕駛對高算力的嚴苛要求，又借助8nm成熟工藝平衡了性能與成本，進一步鞏固了三星在全球高端芯片制造版圖中的地位。

盡管三星在技術布局上動作頻頻，但當前的市場競爭依然異常激烈。就在同一天早些時候，黃仁勛在首爾SK集團總部的聯合簡報會上公開確認，“SK海力士一直是英偉達最大的內存合作伙伴，并將繼續保持這一地位”。

此外，臺積電董事長魏哲家此前也曾暗示，正在與客戶合作開發下一代LPU芯片。這意味著，英偉達為了分散供應鏈風險，正積極構建包含SK海力士、三星和臺積電在內的多元化供應商體系。

當被問及是否會簽署正式的長期供貨協議時，他拒絕透露具體細節，僅強調“我們將繼續專注于自己的工作，稍后會公布結果”，并表示將以實際的HBM和代工業務成果來證明自身的競爭力。

分析人士指出，在當前AI基礎設施擴張的關鍵期，英偉達對HBM4等先進存儲的需求極為迫切。三星憑借全流程自研模式——從DRAM制造、邏輯芯片生產到3D封裝均在內部完成，展現了靈活定制的優勢。隨著2026年第三季度英偉達Vera Rubin平臺的全面交付，三星能否順利提升HBM4的良率并擴大代工產能，將成為決定其能否在這場全球AI算力軍備競賽中真正突圍的核心變量。