6月5日消息，全球功率半導體及圖像傳感器龍頭企業安森美（onsemi）再度啟動海外廠區人員優化調整。公司計劃對位于捷克的羅茲諾夫（Roznov）廠區實施裁員，本輪裁員規模預計在200至300人區間，人員調整主要集中在核心的碳化硅（SiC）晶圓制造部門。這并非該廠區首次人員精簡——早在2025年，羅茲諾夫廠區已完成一輪人員優化，累計裁撤170名員工。時隔一年再度針對碳化硅核心產線動刀，折射出全球功率半導體產業在供需調整與成本壓力下的深層變局。

安森美羅茲諾夫：歐洲SiC重鎮，月產能超25萬片

羅茲諾夫廠區是安森美布局歐洲碳化硅市場的重要生產基地，承擔著碳化硅晶圓制造、量產交付的關鍵職能。該廠區目前月產能超過25萬片晶圓，全年可生產超過十億個功率器件，涵蓋硅晶體生長、硅/碳化硅拋光和外延晶圓制造、硅芯片制造等業務。

值得注意的是，就在裁員消息傳出前不到兩年，安森美曾對該基地寄予厚望。2024年6月，安森美宣布將在捷克投資至多20億美元建設垂直集成碳化硅工廠，該項目被定位為捷克歷史上最大規模的私營企業投資之一，計劃擁有從晶圓到封裝的全流程生產能力，預計2027年投產。彼時安森美首席執行官Hassane El-Khoury表示，擴建將建立一條中歐供應鏈，以滿足客戶對創新技術快速增長的需求。

從20億美元擴產到連續兩年裁員，安森美在羅茲諾夫的策略轉向，與全球碳化硅市場供需格局的劇烈變化直接相關。

全球SiC市場價格腰斬，產能過剩隱現

近年來，全球碳化硅賽道經歷了從"供不應求"到"價格血戰"的快速切換。

在襯底領域，6英寸導電型碳化硅襯底價格已從2021年的約1000美元/片降至目前的約400美元/片，兩年間降幅超過60%。2024年全年，6英寸導電型SiC MOS襯底價格降幅超過40%，已接近成本線。8英寸襯底價格雖仍維持在8000至10000元人民幣區間，但業內預計2026年將降至5000元以內。

價格崩盤的直接原因是產能的快速釋放。2025年全球6英寸導電型碳化硅襯底等效產能突破320萬片，但有效產能利用率僅為68%，良率爬坡仍是行業痛點。下游端，新能源汽車主驅逆變器雖是最大應用（占比超52%），但終端應用降本需求愈發強勁，800V高壓平臺滲透率的提升并未完全抵消價格下滑的沖擊。

在成本與競爭的雙重擠壓下，國際碳化硅巨頭紛紛收縮戰線。

2025年，全球碳化硅襯底龍頭Wolfspeed因財務壓力申請破產保護，市值從巔峰時期的165億美元縮水至不足2億美元。瑞薩電子取消了日本SiC工廠的擴產計劃，羅姆推遲了新產線的投產時間。安森美此次在羅茲諾夫廠區的連續裁員，同樣被視為其全球化產能布局迭代、降本增效的重要舉措——通過收縮低效產能、優化核心產線人員配置，進一步聚焦高附加值業務，緩解行業周期波動帶來的經營壓力。

中國廠商逆勢擴張 

與國際巨頭的收縮形成鮮明對比，中國碳化硅產業鏈正加速搶占市場份額。

據行業數據，2024年中國碳化硅廠商在全球市場的份額已超過34%。在襯底環節，天岳先進全球市場份額從5.7%飆升至21%，天科合達全球市場占有率超過17%，兩家合計占據全球襯底市場約38%的份額。2025年，國產襯底出貨量占全球18%，襯底良率均值從2024年的62%提升至2026年一季度的74%，與國際一線廠商的差距正在縮小。

在器件與模塊環節，2025年國產SiC器件市占率預計突破30%。比亞迪半導體SiC模塊已批量供應自有車型，并進入特斯拉供應鏈測試階段；三安光電與意法半導體在重慶合資建設的8英寸碳化硅芯片廠投資總額達32億美元，規劃年產48萬片車規級MOSFET功率芯片，目前生產線已通線并開始投片生產；芯聯集成計劃加快推動國內首條8英寸SiC MOSFET生產線建設，爭取成為國內首家實現規模量產的企業；士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預計2026年一季度進行試生產。

技術儲備方面，2025年全球碳化硅領域新增專利申請超過3400件，其中中國企業申請量占比32%，首次超越日本成為全球第一。北方華創新一代碳化硅長晶爐實現關鍵突破，設備單價較進口產品降低50%，熱場均勻性等核心指標達到國際先進水平。

從"歐美日壟斷"到"多極競爭"

當前全球碳化硅產業正經歷一輪深刻的格局重塑。美系企業憑借襯底和器件技術優勢仍占據約45%市場份額，但歐系、日系企業在產能擴張上已顯疲態。中國企業則依托新能源汽車全球最大應用市場（中國2025年碳化硅器件市場規模突破19.2億美元，占全球39.5%），通過垂直整合、成本優勢和規模化產能，從襯底、外延到器件、模塊全鏈條加速追趕。

安森美在羅茲諾夫的連續裁員，或許只是全球碳化硅產業"洗牌"的一個縮影。當6英寸襯底價格從1000美元打到400美元，當Wolfspeed從百億市值走向破產重組，當中國廠商的良率從62%爬升到74%——這場圍繞第三代半導體材料的話語權之爭，正在進入白熱化的下半場。