高帶寬存儲器（HBM）的競爭主軸，正在從“能跑多快”切換到“能扛多熱”。

6月4日消息，在2026臺北國際電腦展（Computex 2026）上，全球三大存儲巨頭圍繞下一代HBM5展開了激烈的技術交鋒。這場競爭的核心已從單純追求傳輸速度，全面轉向對封裝能力與熱管理技術的極限挑戰。

三星電子在展會上首次公開展示了第八代高帶寬存儲器HBM5原型，并宣布已向客戶交付12層HBM4E樣品。三星首席技術官宋載赫表示：“隨著AI系統日趨復雜，集存儲、代工與封裝于一體的全棧能力才是決勝關鍵。”

據悉，三星的HBM5將采用自家2納米工藝制造基礎芯片，并引入名為HPB（Heat Path Block）的全新熱管理技術。該技術通過在芯片內部嵌入銅基導熱結構，開辟出獨立的“煙囪”式熱傳導通道，以大幅降低熱阻。三星規劃HBM5提供12層至20層堆疊方案，目標在2028年左右實現量產。

與此同時，三星更“馬上能用”的籌碼是HBM4E（HBM4的進階版/增強版）。多家報道稱其已向主要客戶交付12層HBM4E樣品，并給出14Gbps檔位、單棧帶寬約3.6TB/s、容量48GB量級的性能錨點，用來先穩住當季的AI服務器供應鏈話語權。

而SK海力士則選擇在Computex開幕前一周搶先發布差異化散熱技術“iHBM”。該方案直接在發熱最集中的D2D PHY區域嵌入一體化冷卻元件“ICE”，構建專用排熱通道。

據官方數據，iHBM相比傳統方案可將熱阻降低30%以上，且沿用成熟的MR-MUF封裝工藝，確保與客戶現有系統高度兼容。SK海力士封裝開發負責人李康旭副社長稱其為“實現產品最低發熱的最優方案”。

不過，業內分析指出，SK海力士的HBM5量產時間定在2029年至2030年，比三星晚約一年。SK集團會長崔泰源在展會期間重申，“AI帶來的存儲芯片短缺將持續到2030年”，公司計劃未來五年將晶圓產能翻倍。

此前在HBM市場處于追趕姿態的美光科技也展示了其完整的AI優化內存與存儲解決方案組合。美光執行副總裁Sumit Sadana強調，系統性能現在更多地由內存帶寬和容量驅動，內存已成為不可或缺的“戰略資產”。

美光透露，其2026年全部HBM產能已全部售罄，并將HBM市場規模預期上調至2028年達到1000億美元，比此前預測提前了兩年。目前，美光已開始批量出貨面向英偉達Vera Rubin平臺設計的HBM4 36GB 12層堆疊產品。

在HBM技術競爭中，最大采購方英偉達的態度至關重要。截至目前，英偉達尚未對三星HPB與SK海力士iHBM兩條散熱路線公開置評。

消息人士透露，英偉達正在同時驗證兩家廠商的技術，最終選擇將取決于量產良率與系統集成效率。整體來看，散熱和封裝良率已成為HBM競爭的核心瓶頸，誰能在超高堆疊層數和極致熱管理上率先突破，誰就能拿下下一代AI算力的入場券。