2026年開年以來，功率半導(dǎo)體行業(yè)的漲價(jià)節(jié)奏比預(yù)期更快，不是一輪，是兩輪。而且第二輪來得比第一輪還猛。5月26日，英飛凌通知7月1日第二輪提價(jià)；5月28日，意法半導(dǎo)體通知6月28日第二輪提價(jià)；德州儀器7月1日同樣啟動(dòng)第二輪。國內(nèi)各大中小廠商同步跟漲。三輪漲價(jià)之間間隔不到兩個(gè)月。

這不是短期補(bǔ)庫存，而是供需兩端的結(jié)構(gòu)性擠壓：AI數(shù)據(jù)中心對功率器件需求爆發(fā)，8英寸成熟制程產(chǎn)能持續(xù)收縮，銅價(jià)年內(nèi)漲至每噸14097美元，晶圓代工漲5-20%，封測最高漲30%。機(jī)構(gòu)判斷漲價(jià)趨勢至少延續(xù)至2026年下半年。對做電源、BMS、充電器的工程師和采購來說，關(guān)鍵問題不是"會(huì)不會(huì)漲"，而是"漲了之后用什么替代、怎么快速切換"。

本輪漲價(jià)全景

 

分品類漲幅與緊缺度

 

數(shù)據(jù)來源：東方財(cái)富-全球功率器件供需失衡

要替代3個(gè)參數(shù)必須對上

找替代料號不是看個(gè)封裝和耐壓就行。以下3個(gè)參數(shù)對不上，替代方案就是定時(shí)炸彈：

① VDS（漏源耐壓） ：替代料的VDS必須≥原型號。30V的管位換60V的可以，換20V的不行。高壓場景建議留20%以上余量，關(guān)斷尖峰可能超出預(yù)期。

② RDS(ON)（導(dǎo)通電阻） ：替代料最好≤原型號，至少不能差太多。注意規(guī)格書標(biāo)注的RDS(ON)是25℃結(jié)溫下的值，實(shí)際結(jié)溫100℃時(shí)會(huì)漲1.4-1.5倍。選型時(shí)要用高溫RDS(ON)來算功耗。

③ 封裝兼容性：同封裝直接替換最省事。TO-252換TO-252、SOT-23換SOT-23，PCB不用改。不同封裝替換需要評估焊盤和散熱路徑。

高頻開關(guān)電源場景還需要對比Qg、Crss等動(dòng)態(tài)參數(shù)，影響開關(guān)損耗和EMI表現(xiàn)。

按品類查替代料號

中低壓MOSFET（≤100V）

本輪漲價(jià)最先告急的品類，8英寸晶圓消耗最大。

 

"同型號直接對應(yīng)"指合科泰生產(chǎn)同型號產(chǎn)品，參數(shù)一致可直接替換。其他替代料號建議上機(jī)驗(yàn)證后再批量導(dǎo)入。

雙芯MOSFET

充電寶、PD快充等場景需求激增，雙芯管因省位號、省BOM行而受關(guān)注。

 

高壓MOSFET（≥500V）

高壓MOS漲價(jià)節(jié)奏略慢于中低壓，但AI服務(wù)器電源需求拉動(dòng)明顯。

 

高壓MOS的VGS(th)最高可達(dá)4V，驅(qū)動(dòng)電壓必須給10V。

SiC肖特基二極管

進(jìn)口SiC交期拉長24-52周，國產(chǎn)SiC二極管參數(shù)已覆蓋大部分PFC應(yīng)用。

SiC肖特基零反向恢復(fù)電荷，PFC電路替換硅快恢復(fù)二極管可降低開關(guān)損耗70%以上。

整流橋

 

速查表：按應(yīng)用場景推薦

需要樣品測試或選型表，可聯(lián)系合科泰獲取。