6月1日，宏微科技在互動(dòng)平臺(tái)確認(rèn)，公司自主研發(fā)的NCB SiC模塊已通過(guò)海外主流AI服務(wù)器廠商的整機(jī)認(rèn)證，并實(shí)現(xiàn)小批量供貨。

宏微科技是國(guó)內(nèi)主要的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，成立于2006年，于2021年在科創(chuàng)板上市。公司專注于以IGBT、FRD、SiC、GaN為核心的功率半導(dǎo)體芯片、單管及模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)與銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電、新能源汽車及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。公司此前在互動(dòng)平臺(tái)表示，其功率半導(dǎo)體器件是AI服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心電源的核心器件，IGBT和SiC模塊已批量用于上述高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

此次獲得認(rèn)證的NCB SiC模塊是公司面向高端算力市場(chǎng)推出的關(guān)鍵產(chǎn)品。隨著AI服務(wù)器功耗持續(xù)攀升，其對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率與功率密度的要求日益嚴(yán)苛，采用第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的功率模塊成為提升電源性能的主流方案。該模塊通過(guò)海外頭部廠商的整機(jī)認(rèn)證，意味著其性能與可靠性已滿足國(guó)際高端客戶要求，為公司打開(kāi)了新的增長(zhǎng)空間。

除AI服務(wù)器電源外，宏微科技也在其他前沿領(lǐng)域積極布局。公司聚焦的高壓固態(tài)變壓器（SST）及氮化鎵（GaN）產(chǎn)品，正與國(guó)內(nèi)外行業(yè)頭部廠商開(kāi)展聯(lián)合研發(fā)及送樣。其子公司宏微愛(ài)賽自主研發(fā)的650V GaN HEMT芯片已研發(fā)成功，可有效降低數(shù)據(jù)中心功耗。此外，公司還與多家電源廠商及科研院所聯(lián)合研發(fā)高壓大電流SiC模塊方案，重點(diǎn)聚焦托卡馬克核聚變裝置的核心電源系統(tǒng)，并與北京懷柔實(shí)驗(yàn)室達(dá)成SiC技術(shù)成果轉(zhuǎn)化戰(zhàn)略合作。（校對(duì)/鄧秋賢）