近日，被譽為“中國刻蝕機之父”的中微半導體董事長尹志堯做客央視財經《對話》欄目，分享了中國半導體設備從打破壟斷到引領全球的創新突圍之路。

在節目中，尹志堯自豪地透露：“我們首創了甚高頻去耦合反應離子刻蝕技術，后來國際三大設備公司都按這個方向做，現在100%的CCP（電容耦合等離子體）刻蝕機都在用這個方法。”這一“中國首創”技術不僅打破了國外在刻蝕機領域的長期壟斷，更迫使全球行業巨頭紛紛“抄作業”，成為了全行業的通用標準。

20多年前，全球等離子體刻蝕機市場被美國泛林、應用材料和日本東京電子三巨頭牢牢把控，占據90%以上的市場份額。2004年，60歲的尹志堯毅然放棄在美國的百萬年薪與頂尖公司高管職位，帶著數百項專利的技術積累回國創業。

回國之初，為了規避敏感的技術糾紛，尹志堯要求所有團隊成員簽字畫押，不帶任何文件，使用全新的計算機，完全“從一張白紙開始”。憑借在行業深耕數十年的技術沉淀，尹志堯確立了“技術創新、產品差異化、知識產權保護”三大核心原則。他堅信：“過去能想出來，現在就能想出更好的，我們絕不重復國外的技術，一定要有創新。”

中微公司最具里程碑意義的突破，便是自主研發出甚高頻去耦合反應離子刻蝕技術。這項技術解決了傳統刻蝕機在精度與效率上的平衡難題，徹底重構了等離子體的控制精度。僅用三年時間，中微就打破了國外的技術壟斷，而國際三大設備公司在三年后也全部轉向了這條技術路線。

此外，中微首創的“雙臺機設計”同樣寫進了行業教科書。該設計實現了單臺設備同時刻蝕兩片硅片，不僅材料節省30%以上，且成本更低、性能更穩定。2007年，中微推出首臺雙反應臺國產刻蝕設備，以遠低于國際供應商的售價和更優的性能，硬生生在壟斷市場中撕開了一道口子。

尹志堯回憶，創業初期曾向中芯國際創始人張汝京尋求支持。面對國產設備試錯的風險，張汝京帶頭“吃螃蟹”，表示：“試新的設備一定會有風險，這個時間成本我們來負責。”正是這份包容與信任，讓中微設備快速完成驗證迭代。尹志堯透露，目前中芯國際的設備中至少有800臺來自中微。

這種緊密的產業協同，催生了驚人的“中微速度”。2023年12月，中微決定進軍此前17種核心工藝設備全部依賴進口的大平板顯示設備領域。按行業經驗，開發一臺重達150噸、兩層半樓高的超大平板設備至少需要3到7年，但中微團隊僅用12個月就做出設備并實現運轉，18個月便運抵生產線，兩年內實現核準投產。尹志堯自信地表示：“我們現在有能力做最先進的設備。”

從60歲歸國到82歲恢復中國國籍，尹志堯用22年時間將一家初創公司打造成市值超2000億元的行業標桿。面對未來，中微公司正加速向平臺化轉型，計劃在五年左右覆蓋60%以上的集成電路高端關鍵設備。尹志堯呼吁更多下游客戶給予國產設備機會，因為“如果沒有人使用，設備永遠不會進步”。