全球存儲芯片半導體業界為應對人工智能（AI）熱潮，正將生產產能全面集中于高帶寬存儲（HBM）與先進的 3D NAND 快閃存儲芯片，導致 2D NAND 等傳統舊型產品的供應基礎逐漸崩潰。根據韓國媒體報道，隨著三星電子與鎧俠相繼關閉獲利較低的舊制程產線，加上美光也宣布退出作為通用產品核心的消費者業務，使得高度依賴長期穩定性的車用電子與工業設備等市場，正面臨日益惡化的供需失衡危機。

朝鮮日報的報道指出，半導體業界表示，三星電子已從 2026 年 3 月起逐步停止華城廠區 12 線的 2D NAND 生產，并著手將該設施轉換為生產先進 1c DRAM 的工廠。這座每月具備 8 萬至 10 萬片晶圓產能的三星最后 2D NAND 生產基地關門，宣告了自 2002 年以全球首款 1Gb 產品量產為開端的三星 2D NAND 時代，在歷經 24 年后正式畫上句點。

不僅如此，三星的這項決策更與過去曾主導市場的 MLC（Multi-Level Cell）NAND 產品停產息息相關。三星已向客戶發布 MLC NAND 的停產通知，預計在 2026 年 6 月進行最后一次出貨后，將全面停止供應。MLC 技術雖然容量不如較新的 TLC 或 QLC，但數據保存力與耐用性極佳，過去一直是要求 10 年以上無故障運作的醫療設備與工業機器人市場中的必要零件，如今卻因獲利能力不佳而面臨退場命運。

在此同時，鎧俠也正式展開脫離舊型存儲芯片市場的步伐。鎧俠于 2026 年 3 月通知客戶，將逐步撤出 2D NAND 與第三代 BiCS Flash 產品市場，計劃于 2026 年 9 月底前接收最后訂單，并于 2028 年 12 月完成最終出貨，預計 2029 年完全退出該領域。此外，鎧俠同步停產舊型 TSOP 封裝產品，預期低容量 NAND 的供需將變得更加吃緊。

至于美光則在僅維持現有客戶基本需求的同時，宣布終止旗下消費性品牌“Crucial”的業務，將舊制程晶圓產能全面轉向 AI 數據中心所需的先進存儲芯片，這些計劃都讓低容量通用 NAND 的供應短缺問題雪上加霜。

目前市場面臨的最大問題在于，主要大廠撤出的速度已經遠超過市場技術轉換的腳步。市場調查機構 TrendForce 預測，2026 年全球 MLC NAND 的生產能力將比 2025 年大幅驟減 41.7%。雪上加霜的是，由于三星與美光在出售舊設備時，拒絕授權核心的 MLC 制造技術，導致新進廠商極難跨入該市場填補空缺。

在供應極度匱乏下，近期部分 SLC 與 MLC 產品價格在一個月內出現雙位數以上的漲幅，其中 MLC 64Gb 的現貨價格更從 2025 年底的約 6 美元，狂飆至目前的 20 至 28 美元區間，漲幅高達 300%，市場已出現極端的恐慌性囤貨現象。

報道引用市場人士的警告，資源過度集中于 AI 用的高附加價值存儲芯片，正在摧毀作為實體產業基礎的傳統存儲芯片市場。這波由供應斷崖所引發的存儲芯片通膨骨牌效應，預計將使家電與汽車制造商的成本負擔及供應鏈風險，一路加劇至 2027~2028 年。