臺(tái)積電推1.3nm制程 預(yù)計(jì)2029年量產(chǎn)
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 A13制程 1.3nm 先進(jìn)封裝
臺(tái)積電2026年北美技術(shù)論壇昨天在美國(guó)加州登場(chǎng),宣布今年推出最新的A13(1.3nm)制程技術(shù),以滿足客戶對(duì)下一代人工智能、高效能運(yùn)算、以及行動(dòng)應(yīng)用永無(wú)止境的運(yùn)算需求,這項(xiàng)制程并訂2029年、即A14生產(chǎn)的隔年量產(chǎn),技術(shù)維持全球領(lǐng)先地位。
三星先前砸重金積極搶購(gòu)ASML極紫外光(EUV)設(shè)備,要在1.4nm縮短與臺(tái)積差距;英特爾也評(píng)估以其14A制程,承接谷歌、亞馬遜等開(kāi)發(fā)自制芯片(ASIC)訂單,市場(chǎng)解讀臺(tái)積電推出A13,捍衛(wèi)制程領(lǐng)先的意味濃厚。
臺(tái)積電表示,A13代表公司對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的承諾,相較于A14,A13節(jié)省了百分之六的面積,設(shè)計(jì)規(guī)則也與A14完全向后相容,讓客戶能夠迅速將其設(shè)計(jì)升級(jí)至臺(tái)積最新的奈米片電晶體技術(shù)。此外,A13透過(guò)設(shè)計(jì)與技術(shù)協(xié)同優(yōu)化,提供額外的功耗效率及效能提升。
此外,臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)受訪表示,臺(tái)積電計(jì)劃在2029年前于亞利桑那州啟用一座芯片封裝廠,這座先進(jìn)封裝廠將具備CoWoS與3D-IC先進(jìn)封裝能力。
這也是臺(tái)積電宣布投資美國(guó)一千億美元,增設(shè)三座晶圓廠、兩座封裝廠和一座研發(fā)中心后,首度明確揭露先進(jìn)封裝廠時(shí)程。這將是臺(tái)積在海外首座先進(jìn)封裝廠。
據(jù)了解,從臺(tái)積電釋出先進(jìn)封裝時(shí)程,明顯是等亞利桑那州三座新晶圓廠全數(shù)量產(chǎn)后,再由亞利桑那州廠的先進(jìn)封裝廠接手直接在美國(guó)封裝,借以避開(kāi)送回臺(tái)灣封好再送至美國(guó)服務(wù)器廠時(shí),需支付至少百分之十五的關(guān)稅。
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