韓國本土產4英寸GaAs工藝良率突破95%

韓國在高性能化合物半導體器件的本地化方面取得了一項關鍵性進展，此前這些器件長期以來一直依賴進口。

業內人士表示，韓國納米技術研究院（KANC）在4英寸GaAs（砷化鎵）變質高電子遷移率晶體管（mHEMT）制造工藝中實現超過95%的良率。該人士補充說，這一結果表明該工藝已達到適合商業化和量產的穩定性水平。

GaAs mHEMT是由多種元素組合而成的化合物半導體器件，被廣泛認為是能夠克服硅基半導體物理限制的下一代材料平臺。

與硅相比，GaAs的電子遷移率高出約5~6倍，這使得它在超高頻應用中能夠實現強放大并最大限度地減少信號失真。

該材料還能滿足嚴苛環境下的嚴格可靠性要求，包括太空中的強輻射環境，并被應用于國防、航天和下一代通信領域，例如有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達和導彈導引頭。

然而，GaAs比硅更易碎且加工難度更大，這導致其生產歷來局限于較小的2英寸和3英寸晶圓。韓國的制造業基礎落后于國內設計能力，導致超過90%的關鍵組件依賴進口。

KANC在保持95%以上良率的同時，成功過渡到4英寸晶圓平臺，提高了生產效率和工藝穩定性，從而支持了韓國的本土化發展。

KANC還開始開發用于單片微波集成電路（MMIC）設計的工藝設計套件（PDK），提供用于電路設計和仿真的工藝參數和模型數據。

該平臺建成后，預計將使韓國無晶圓廠企業能夠利用KANC的4英寸工藝設計和生產高性能芯片，從而助力構建本土化合物半導體生態系統。

該機構還在籌備多項目晶圓（MPW）服務，該服務允許在單個晶圓上制造多個芯片設計。此舉有望降低小型無晶圓廠企業的原型成本，縮短開發周期，同時減少對海外代工廠的依賴，而海外代工廠通常成本更高、交貨周期更長。（校對/李梅）