在與伊朗相關(guān)的地緣緊張局勢引發(fā)對氦氣等半導(dǎo)體材料供應(yīng)擔(dān)憂之際，業(yè)內(nèi)人士表示，六氟化鎢（WF6）正構(gòu)成更為緊迫的風(fēng)險，“氦氣可以來自美國或俄羅斯，而鎢只能來自中國?！?/span>

由于中國對鎢進行出口管制，日本供應(yīng)商（約占全球WF6供應(yīng)的25%）正面臨原材料獲取困難，并計劃在今年下半年削減產(chǎn)量。

據(jù)多位業(yè)內(nèi)消息人士透露，日本廠商如關(guān)東電化工業(yè)（Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.）和中央硝子（Central Glass Co., Ltd.）已開始向韓國芯片制造商，包括三星電子和DB HiTek，通報潛在的供應(yīng)中斷風(fēng)險。

知情人士表示，依靠現(xiàn)有鎢庫存，5月和6月的供應(yīng)仍可維持，但下半年前景存在較大不確定性。相關(guān)供應(yīng)商已建議韓國客戶轉(zhuǎn)向本土廠商，如SK specialty和Foosung Co., Ltd.。

由于對日本W(wǎng)F6依賴程度更高，三星面臨的風(fēng)險相對更大，相比之下，SK海力士的供應(yīng)更具靈活性，其已從SK specialty、Foosung以及中國供應(yīng)商中鎢高新（Peric）等多渠道采購。

部分晶圓代工廠也在加緊推進韓國本土WF6的認(rèn)證工作。通常新材料的工藝認(rèn)證周期超過18個月，但在當(dāng)前緊迫形勢下，企業(yè)正嘗試縮短甚至跳過部分流程。

WF6是一種關(guān)鍵前驅(qū)氣體，用于在晶圓上沉積鎢薄膜，這些薄膜作為芯片內(nèi)部的導(dǎo)電通路。該材料廣泛應(yīng)用于DRAM、NAND和邏輯芯片制造，其中在3D NAND中的用量尤為巨大。由于其垂直堆疊結(jié)構(gòu)，每一層都需進行一次鎢沉積，例如200層結(jié)構(gòu)就需要200次沉積工藝。

盡管業(yè)界正嘗試在先進NAND工藝中以鉬替代鎢互連，但大規(guī)模應(yīng)用仍需時間。（校對/孫樂）