三星晶圓代工再次杠上臺(tái)積電（2330）。外電報(bào)導(dǎo)，三星率先喊出2030年前1nm制程到位并進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為業(yè)界首家揭露1nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃的廠商，與臺(tái)積電爭(zhēng)奪話語(yǔ)權(quán)。

相較之下，臺(tái)積電尚未公布1nm生產(chǎn)藍(lán)圖。對(duì)于三星搶先揭露1nm相關(guān)時(shí)程，至昨（31）日截稿前，臺(tái)積電沒有進(jìn)一步評(píng)論。

臺(tái)積電目前對(duì)外公布的最先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，是邁入「埃米時(shí)代」的下一代先進(jìn)邏輯制程A14（1.4nm），預(yù)計(jì)2028年生產(chǎn)。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，A14制程技術(shù)旨在透過提供更快的運(yùn)算和更好的能源效率，來推動(dòng)AI轉(zhuǎn)型，亦有望透過增進(jìn)裝置端AI功能來強(qiáng)化智能手機(jī)功能，使其更加智能。

臺(tái)積電先前指出，A14制程技術(shù)截至目前開發(fā)進(jìn)展順利，良率表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期進(jìn)度，搭載超級(jí)電軌技術(shù)（SPR）的版本計(jì)劃于2029年推出。

此外，臺(tái)積電隸屬于2nm家族A16制程計(jì)劃2026年下半年量產(chǎn)。 A16是臺(tái)積電邁入埃米制程的第一站，先前業(yè)界傳出，OpenAI自家ASIC芯片由博通、邁威爾（Marvell）等美商合作開發(fā)，并在臺(tái)積電3nm與A16制程投片生產(chǎn)。

臺(tái)積電投入A16與更先進(jìn)的A14制程研發(fā)之際，外電報(bào)導(dǎo)，三星積極追趕，傳出已訂下「2030年導(dǎo)入1nm制程」的遠(yuǎn)大目標(biāo)，與臺(tái)積電正面交鋒，搶攻1nm時(shí)代主導(dǎo)權(quán)。

韓媒《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo)，產(chǎn)業(yè)人士透露，三星晶圓代工部門已規(guī)劃于2030年前完成1nm制程研發(fā)，并進(jìn)入量產(chǎn)階段。由于1nm制程的電晶體密度是2nm的兩倍，制程難度明顯升高，被視為芯片微縮技術(shù)的重要里程碑。

報(bào)導(dǎo)指出，為了突破制程微縮的物理極限，三星1nm制程的主力架構(gòu)將從現(xiàn)行「環(huán)繞式閘極（GAA）」轉(zhuǎn)移至「叉型片（fork sheet）」結(jié)構(gòu)，透過在nm片之間加入絕緣層，進(jìn)一步提升電晶體密度，達(dá)到改善功耗及效能的目標(biāo)。

韓媒先前報(bào)導(dǎo)，由于AI對(duì)高階芯片需求殷切，三星持續(xù)加碼研發(fā)與資本支出，2025年投入總額已達(dá)90.4兆韓元，2026年將再增加22%，顯示三星急欲追趕甚至超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，在AI芯片與高頻寬記憶體（HBM）等新興領(lǐng)域搶占更多話語(yǔ)權(quán)。

三星亦同步優(yōu)化現(xiàn)有先進(jìn)制程，積極爭(zhēng)取重量級(jí)客戶訂單。產(chǎn)業(yè)人士指出，三星已開發(fā)客制化2nm制程「SF2T」，主供特斯拉次世代AI芯片AI6，預(yù)計(jì)2027年于三星德州新廠量產(chǎn)。