中國(guó)科學(xué)院微電子研究所24日發(fā)布訃告：中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)杰出的微電子科學(xué)家吳德馨因病醫(yī)治無(wú)效，于3月23日下午在北京逝世，享年90歲。

吳德馨1936年12月生于河北樂(lè)亭，1979年6月加入中國(guó)共產(chǎn)黨，1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系，成為清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生。畢業(yè)后被分配至中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作，1986年調(diào)入中國(guó)科學(xué)院微電子中心（現(xiàn)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所）工作至今，歷任助理研究員、研究員、中心副主任、主任，1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士（學(xué)部委員）。先后榮獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、北京市科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、何梁何利技術(shù)科學(xué)獎(jiǎng)等多個(gè)重要獎(jiǎng)項(xiàng)。

吳德馨是我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路研究的開拓者之一，為國(guó)家微電子事業(yè)發(fā)展做出了卓越貢獻(xiàn)。在半導(dǎo)體所工作期間，她作為課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)了解放初期“12年科學(xué)規(guī)劃”中的“平面型高速開關(guān)晶體管的研究”，獨(dú)立自主地解決了提高開關(guān)速度的關(guān)鍵問(wèn)題，開關(guān)速度達(dá)到當(dāng)時(shí)國(guó)際同類產(chǎn)品水平。該技術(shù)在中國(guó)科學(xué)院109廠和上海器件五廠進(jìn)行了推廣，打破了西方國(guó)家對(duì)我國(guó)的封鎖，為“兩彈一星”配套的“109丙”計(jì)算機(jī)提供了核心器件，產(chǎn)生了重大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，獲全國(guó)新產(chǎn)品一等獎(jiǎng)。

1986年，吳德馨同志調(diào)入中國(guó)科學(xué)院微電子中心任副主任、研究員。作為主要負(fù)責(zé)人從事N溝MOS 4K、16K和64K動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的工藝研究，首次在國(guó)內(nèi)成功研制出4K、16K位DRAM。成功開發(fā)出雙層多晶硅和差值氧化工藝，打破了我國(guó)大規(guī)模集成電路成品率長(zhǎng)期低下的局面，為我國(guó)集成電路的工業(yè)生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。

1991年，吳德馨同志擔(dān)任中國(guó)科學(xué)院微電子中心主任，領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)了0.8微米CMOS全套工藝，科研成果和產(chǎn)品開發(fā)等效益不斷增加，開創(chuàng)了微電子中心發(fā)展的新局面。 離開領(lǐng)導(dǎo)崗位的吳德馨并未放松科學(xué)研究，她領(lǐng)導(dǎo)科研人員成功研制0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在國(guó)內(nèi)首次成功研制出全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gbps光纖通信光發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路。 任全國(guó)人大常委會(huì)委員期間，吳德馨同志認(rèn)真履行職能，積極建言獻(xiàn)策，多次向中央領(lǐng)導(dǎo)匯報(bào)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)并提出建議，多次參加國(guó)家和中國(guó)科學(xué)院發(fā)展規(guī)劃的制定，多次主持執(zhí)筆兩院院士對(duì)國(guó)家集成電路發(fā)展咨詢報(bào)告的撰寫等工作，有力推動(dòng)了我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展。