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芯?上的?壓如何產生的?

2026-03-23 來源: 作者:深圳市佰泰盛世科技有限公司
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關鍵詞: 芯片高壓 電荷泵

芯?上的?壓如何產生的?

1. 高壓生成的方法

1.1 電荷泵(Charge Pump):電容的“電壓疊加”

電荷泵是最經典的片上高壓生成方案,其核心原理是通過電容和開關的周期性切換,逐級“泵送”電荷,實現電壓倍增。

  • Dickson電荷泵:
    由二極管(或MOSFET替代)和電容級聯構成。通過時鐘信號控制開關,電容交替充電和串聯放電。例如,一個兩倍壓電荷泵的輸入電壓為,在第一階段電容充電至,第二階段該電容與電源串聯,輸出達到(為開關壓降)。通過多級級聯,可生成更高電壓。
    特點:

    • 無需電感,易于集成;

    • 輸出電流較小,效率隨級數增加而下降;

    • 典型應用:Flash存儲器編程(需10-20V)、OLED驅動(~15V)。

 

1.2 開關電容電壓轉換器:動態重構電容網絡

開關電容技術通過改變電容的連接方式(并聯充電、串聯放電)提升電壓。例如,Cockcroft-Walton倍壓電路利用多級電容和二極管的組合,將交流信號整流為高壓直流。

  • 設計優化:
    采用MOSFET替代二極管可減少壓降,提升效率。通過調整開關頻率和電容值,可靈活調節輸出電壓。
    應用場景:
    低功耗傳感器接口、能量采集電路。

1.3 電感式升壓轉換器(Boost Converter):高效能量轉換

傳統的電感式Boost電路通過周期性開關電感和儲能電容,將輸入電壓提升至更高等級。其核心公式為:

為開關占空比

  • 片上集成挑戰:
    傳統電感體積大,難以集成,但先進工藝(如TSMC 16nm以下)支持微型化平面電感的制造。
     

  • 優勢:
    高效率(>90%)、支持大電流輸出,適用于電源管理芯片(PMIC)。


2. 高壓生成的關鍵設計挑戰*

2.1 效率與面積的權衡
  • 電荷泵的級數限制:
    級數越多,輸出電壓越高,但開關損耗和電容面積顯著增加。例如,4級電荷泵的效率可能低于50%。

  • 電感式Boost的微型化:
    片上電感的Q值(品質因數)較低,需優化布局以降低寄生電阻。

2.2 噪聲與紋波抑制

開關操作(尤其是電荷泵和Boost電路)會引入高頻噪聲和電壓紋波,可能干擾敏感模擬電路。解決方法包括:

  • 增加濾波電容;

  • 采用多相位交錯控制技術;

  • 優化開關時序以減少電流尖峰。

2.3 高壓器件的工藝兼容性
  • 厚柵氧晶體管:
    柵極氧化層加厚以承受高壓,但犧牲了開關速度。

  • LDMOS(橫向擴散MOS):
    通過特殊摻雜工藝實現高擊穿電壓,廣泛用于功率集成電路。

2.4 動態電壓調節

在負載變化時(如Flash存儲器擦除階段電流突增),需通過閉環反饋(如電壓模/PWM控制)快速調整輸出電壓,避免過沖或跌落。


3. 典型應用場景

3.1 非易失性存儲器(NVM)
Flash和EEPROM需要10-20V高壓進行編程和擦除,電荷泵因其緊湊性成為首選方案。例如,智能手機的eMMC芯片內置多級電荷泵以支持高速寫入。

3.2 顯示驅動
OLED顯示屏的像素驅動需15-20V偏置電壓,電荷泵或Boost電路為每個像素提供精準電壓控制。

3.3 MEMS傳感器
微機電系統(如加速度計、陀螺儀)需要高壓驅動靜電執行器,開關電容轉換器因低功耗特性被廣泛采用。

3.4 射頻(RF)前端
部分射頻開關和功率放大器需高壓供電,微型變壓器耦合技術可滿足高頻隔離需求。

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