據(jù)韓國(guó)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》及多家半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)最新披露，英偉達(dá)（NVIDIA）計(jì)劃于今年下半年推出的下一代旗艦AI加速器“Vera Rubin”，其核心高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)鏈名單已塵埃落定：美光科技落選，三星電子與SK海力士包攬全部供應(yīng)份額。

業(yè)內(nèi)人士分析，這一結(jié)果并非偶然，而是英偉達(dá)對(duì)性能與良率嚴(yán)苛篩選的必然。英偉達(dá)為Vera Rubin設(shè)定了極高的HBM4標(biāo)準(zhǔn)，要求運(yùn)行速度突破JEDEC規(guī)定的8Gb/s基準(zhǔn)，達(dá)到10Gb/s甚至11Gb/s的超高引腳速度。

目前，三星電子已基本通過(guò)英偉達(dá)的兩檔質(zhì)量測(cè)試，并于上月交付了少量成品，展現(xiàn)出從HBM3延誤陰影中強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇的姿態(tài)。SK海力士雖仍在進(jìn)行最后的11Gb/s優(yōu)化測(cè)試，但憑借其與臺(tái)積電在邏輯代工領(lǐng)域的深度綁定，其技術(shù)穩(wěn)定性備受信賴。

作為英偉達(dá)對(duì)抗AMD、博通等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的終極武器，Vera Rubin實(shí)物預(yù)計(jì)將在本月16日開(kāi)幕的GTC 2026開(kāi)發(fā)者大會(huì)上首次亮相。據(jù)悉，該芯片將搭載16顆HBM4內(nèi)存顆粒，總?cè)萘扛哌_(dá)576GB，遠(yuǎn)超AMD下一代MI450加速器的432GB。英偉達(dá)正全力將Vera Rubin的性能提升至現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍以上，以鞏固其在AI訓(xùn)練領(lǐng)域的絕對(duì)霸權(quán)。

在此背景下，HBM4的穩(wěn)定供應(yīng)成為了成敗關(guān)鍵。三星與SK海力士的入選，意味著兩家韓企最早可能從本月起啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)，以滿足英偉達(dá)下半年的發(fā)布需求?？紤]到HBM4從DRAM晶圓投片到封裝測(cè)試需耗時(shí)6個(gè)月以上，時(shí)間的緊迫性進(jìn)一步壓縮了其他廠商的追趕空間。

一名半導(dǎo)體行業(yè)人士透露：“目前討論 Vera Rubin HBM4 供應(yīng)商時(shí)，沒(méi)有提到美光?！备鶕?jù)此前業(yè)內(nèi)分析，美光此次受挫的核心原因，被普遍歸結(jié)為技術(shù)路線選擇的戰(zhàn)略失誤。

為了降低成本并掌控供應(yīng)鏈自主權(quán)，美光堅(jiān)持采用內(nèi)部自主設(shè)計(jì)和制造HBM4的基礎(chǔ)裸片（Base Die）。然而，在HBM4時(shí)代，隨著堆疊層數(shù)增加和功耗密度提升，散熱管理與信號(hào)完整性成為巨大挑戰(zhàn)。

不同于SK海力士選擇與臺(tái)積電強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，利用先進(jìn)封裝工藝解決散熱難題，也不同于擁有自家晶圓代工能力的三星可以靈活調(diào)整制程，美光的“單打獨(dú)斗”策略導(dǎo)致了嚴(yán)重的散熱瓶頸，其引腳速度始終未能達(dá)到英偉達(dá)的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)。

盡管美光計(jì)劃重新設(shè)計(jì)基礎(chǔ)裸片并優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò)，擬于2026年第二季度再次提交資格測(cè)試，但此時(shí)英偉達(dá)Vera Rubin已進(jìn)入“全速生產(chǎn)”階段，供應(yīng)鏈名單基本鎖定，美光顯然已錯(cuò)過(guò)了最佳窗口期。

不過(guò)，雖然無(wú)緣頂級(jí)的Vera Rubin，但美光并未完全失去機(jī)會(huì)。行業(yè)消息指出，美光仍有可能為Rubin系列中定位中端的AI推理加速器（如Rubin CPX）提供HBM4支持。