三星電子將于春節(jié)假期后率先啟動全球首次 HBM4 大規(guī)模量產(chǎn)，并于 2 月第三周向英偉達交付首批產(chǎn)品，此舉代表三星在 AI 存儲器領域上實現(xiàn)關鍵突破，試圖扭轉上一代產(chǎn)品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階存儲器競爭格局。

三星 HBM4 在性能上實現(xiàn)跨越式升級。透過創(chuàng)新采用 1c DRAM 制程與 4 奈米晶圓代工技術，資料處理速度達 11.7 Gbps，較 JEDEC 國際標準 (8 Gbps) 提升 37%，比上一代 HBM3E(9.6 Gbps)快 22%。單堆疊儲存頻寬達 3 TB/s，為前代產(chǎn)品的 2.4 倍；12 層堆疊結構提供 36GB 容量，未來可擴充至 48GB。

更關鍵的是，三星 HBM4 的低功耗設計可顯著降低資料中心冷卻成本，直擊 AI 算力能耗痛點。

三星此次量產(chǎn)緊密配合英偉達新品節(jié)奏。三星已通過英偉達品質認證，其 HBM4 將用于 3 月 GTC 2026 大會亮相的 Vera Rubin AI 加速器。為符合顧客需求，三星大幅增加樣品供應量，強化在英偉達供應鏈中的核心地位。

產(chǎn)業(yè)分析指出，HBM4 作為 AI 芯片的“燃料艙”，其供應能力將直接影響英偉達等巨頭的旗艦產(chǎn)品發(fā)布。

三星憑藉全球唯一涵蓋邏輯芯片、存儲器、晶圓代工、封裝的全鏈條能力，以“一站式解決方案”打造差異化優(yōu)勢。目前，平澤園區(qū)第四廠已啟動新產(chǎn)線擴建，目標將今年 HBM 銷量提升兩倍以上。

產(chǎn)業(yè)鏈消息人士指出，三星以技術實力證明 HBM4 量產(chǎn)能力，在對抗 SK 海力士等對手時已占得先機。"

隨著 AI 算力需求爆發(fā)，HBM4 量產(chǎn)將加速高階儲存市場洗牌。三星的先發(fā)優(yōu)勢不僅鞏固自身技術領導力，更透過綁定重量級客戶建構生態(tài)護城河。

分析師指出，三星此次量產(chǎn)時程落地，意味著三星可望在 2026 年 AI 芯片競賽中掌控關鍵零件命脈，為自家股價注入一劑強心針。