DDR5存儲入市超過四年，按產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，前代DDR4 本應(yīng)逐步讓位，但過去一年市場走勢反常，DDR4 價格漲幅遠(yuǎn)超預(yù)期，且大幅高于DDR5，為存儲發(fā)展史上首見。

價格上漲主因為AI 產(chǎn)業(yè)爆發(fā)性成長。為滿足AI 晶片對高頻寬存儲(HBM) 的迫切需求，全球主要存儲大廠將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM 產(chǎn)品線，致使DDR4 及DDR5 常規(guī)產(chǎn)能持續(xù)承壓。

此外，全球主要存儲廠商未啟動大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計劃，維持現(xiàn)有供應(yīng)節(jié)奏，也加劇了供需失衡，推動價格攀升。

自去年9 月起，DDR5 現(xiàn)貨價格上漲超過三倍，但DDR4 漲幅更驚人，截至2026 年1 月26 日，DDR4 存儲價格較一年前飆升約1845%，接近十九倍。

DDR4 自去年初就啟動漲勢，上半年趨勢明顯，下半年加速上行，但技術(shù)更新、定位更高的DDR5 年度漲幅僅465%，約五倍，表現(xiàn)遠(yuǎn)遜于DDR4。

目前，存儲與NAND閃存的緊缺與漲價已蔓延至傳統(tǒng)終端用戶之外，電腦、智能手機(jī)首當(dāng)其沖，智能汽車成為下一波承壓主體，高端車款存儲規(guī)格趨近消費性電子產(chǎn)品，若漲價持續(xù)，單臺車存儲成本恐向上狂飆，擠壓車廠獲利空間，產(chǎn)業(yè)經(jīng)營壓力加大。