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韓國(guó)加大政策投入,推動(dòng)本土晶圓廠加速生產(chǎn)SiC/GaN芯片

2026-01-14 來(lái)源:愛(ài)集微
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關(guān)鍵詞: GaN SiC 功率芯片

韓國(guó)正加大對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的政策支持力度,這是其加強(qiáng)國(guó)內(nèi)芯片制造、減少對(duì)海外供應(yīng)商依賴的更廣泛舉措的一部分。韓國(guó)本土晶圓代工廠正加速碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件的商業(yè)化進(jìn)程。

韓國(guó)政府計(jì)劃于1月正式成立功率半導(dǎo)體專項(xiàng)工作組,這標(biāo)志著韓國(guó)將更加重視用于電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的高效芯片。作為這項(xiàng)舉措的一部分,SiC碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)極有可能被指定為國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù),此舉將帶來(lái)稅收優(yōu)惠、補(bǔ)貼和監(jiān)管支持。這一前景促使該計(jì)劃的核心企業(yè)之一SK Keyfoundry加快其生產(chǎn)進(jìn)度,并正在積極準(zhǔn)備,爭(zhēng)取最早于2026年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)SiC功率器件。該公司即將完成1200V SiC MOSFET的研發(fā),該產(chǎn)品是高壓應(yīng)用的關(guān)鍵產(chǎn)品。

基于GaN的功率半導(dǎo)體也在朝著商業(yè)化方向發(fā)展。DB HiTek已完成650V GaN工藝的研發(fā),目前正向無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商提供GaN多項(xiàng)目晶圓,并計(jì)劃在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)實(shí)質(zhì)性的量產(chǎn)。為了滿足預(yù)期的需求增長(zhǎng),DB HiTek正在擴(kuò)建忠清北道園區(qū)潔凈室,增加GaN和SiC器件的產(chǎn)能。擴(kuò)建完成后,該公司8英寸晶圓的月產(chǎn)能將提升約23%。

這項(xiàng)最新的政策舉措建立在政府此前為提升韓國(guó)非存儲(chǔ)半導(dǎo)體能力所做的努力之上。2025年12月,韓國(guó)考慮以4.5萬(wàn)億韓元的公私合營(yíng)投資建設(shè)一家專注于關(guān)鍵芯片和傳統(tǒng)芯片(包括汽車和國(guó)防相關(guān)半導(dǎo)體)的本土晶圓代工廠。該計(jì)劃反映出韓國(guó)政府擔(dān)憂,盡管憑借三星電子和SK海力士在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位,但在邏輯芯片和特種芯片制造方面卻落后于中國(guó)臺(tái)灣和美國(guó)。韓國(guó)政府還討論了優(yōu)先采購(gòu)國(guó)產(chǎn)芯片用于國(guó)家安全基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),并成立總統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體委員會(huì)來(lái)協(xié)調(diào)相關(guān)政策。

產(chǎn)業(yè)投資也與這些政策信號(hào)同步推進(jìn)。SK Keyfoundry通過(guò)2025年收購(gòu)SK Powertech,增強(qiáng)了其SiC制造能力,獲得了工藝和器件設(shè)計(jì)方面的專業(yè)知識(shí),從而增強(qiáng)了技術(shù)自主性。與此同時(shí),DB HiTek早在2022年就開(kāi)始投資GaN和SiC技術(shù),將化合物半導(dǎo)體定位為長(zhǎng)期增長(zhǎng)引擎。(校對(duì)/趙月)




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