美國ITC調(diào)查三星HBM和DDR5專利侵權(quán)指控
2026-01-04
來源:愛集微
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美國國際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)已對(duì)半導(dǎo)體公司Netlist針對(duì)三星電子提出的半導(dǎo)體專利侵權(quán)指控展開調(diào)查。
Netlist于1月2日宣布,ITC于2025年12月30日投票決定對(duì)三星電子及其客戶谷歌和Super Micro展開調(diào)查。ITC將根據(jù)其是否認(rèn)定三星電子侵犯Netlist的專利權(quán),決定是否禁止相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)口到美國。
Netlist聲稱,三星電子的核心內(nèi)存產(chǎn)品,包括高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)和DDR5,侵犯了其技術(shù)專利。該公司已請(qǐng)求ITC發(fā)布排除令及停止令,以阻止涉嫌侵權(quán)產(chǎn)品進(jìn)口到美國。
ITC表示,將在啟動(dòng)調(diào)查后45天內(nèi)設(shè)定完成調(diào)查的目標(biāo)日期,并盡快發(fā)布最終調(diào)查結(jié)果。
Netlist CEO Hong Chun-ki,表示:“我們歡迎ITC決定對(duì)被告的不公平貿(mào)易行為展開調(diào)查?!彼a(bǔ)充道:“Netlist將繼續(xù)采取堅(jiān)決措施,防止他人未經(jīng)授權(quán)使用我們的知識(shí)產(chǎn)權(quán)?!?/span>
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