據(jù)永鑫方舟資本消息，近日，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“研微半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機(jī)構(gòu)。該公司成立3年已有多臺(tái)設(shè)備通過(guò)Fab廠驗(yàn)證，募集資金將用于未來(lái)研發(fā)投入及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。

研微半導(dǎo)體成立于 2022 年，坐落于無(wú)錫經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)且具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體設(shè)備，專注于原子層沉積（ALD)、 Si 外延沉積（SI EPI）、等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）、SiC 外延（SiC EPI）以及原子層刻蝕（ALE）等設(shè)備及工藝技術(shù)的研發(fā)。該公司的目標(biāo)是解決高端芯片制造中沉積和刻蝕技術(shù)的難題，引領(lǐng)更先進(jìn)的沉積和刻蝕設(shè)備技術(shù)，同時(shí)與上下游產(chǎn)業(yè)鏈緊密合作齊步向前，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速騰飛。

隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級(jí)和3D存儲(chǔ)芯片對(duì)多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD 技術(shù)憑借其原子層級(jí)沉積特點(diǎn)，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、臺(tái)階覆蓋率極高、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢(shì)，特別適合在對(duì)薄膜質(zhì)量和臺(tái)階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在 45nm 以下節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。研微半導(dǎo)體目前重點(diǎn)突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細(xì)分領(lǐng)域，市場(chǎng)份額主要由美日歐廠商占據(jù)，受地緣政治影響，高端薄膜沉積設(shè)備進(jìn)口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細(xì)分工藝的突破，研微半導(dǎo)體在最前沿半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中建立優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

永鑫方舟投資團(tuán)隊(duì)指出：在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的浪潮中，研微半導(dǎo)體緊密圍繞高端制程、3D存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝等領(lǐng)域?qū)μ厥獠牧吓c工藝設(shè)備的迫切需求，提供成熟可靠的整體解決方案。公司核心團(tuán)隊(duì)具備全球稀缺的復(fù)合研發(fā)背景——同時(shí)擁有NAND、DRAM與Logic三大領(lǐng)域設(shè)備開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，憑借這一獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，研微半導(dǎo)體在成立僅三年內(nèi)，便高效完成了從團(tuán)隊(duì)組建到Fab廠驗(yàn)證的全流程，以專業(yè)、高效的服務(wù)贏得了行業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可與好評(píng)。