如今市面上許多智能手機(jī)、電腦充電器均采用了 GaN 氮化鎵功率芯片，實現(xiàn)了高功率密度，大幅減小產(chǎn)品體積。根據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息，日本企業(yè) Novel Crystal Technology 近日成功量產(chǎn)新一代功率半導(dǎo)體材料“氧化鎵”制成的 100mm 晶圓。

這家公司由電子零部件企業(yè)田村制作所和 AGC 出資成立，該產(chǎn)品將在年內(nèi)量產(chǎn)供應(yīng)客戶。這家公司僅供應(yīng) 100mm 晶圓，購買者需要利用自家的設(shè)備進(jìn)行切割并封裝成芯片。

目前的功率半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 等，該公司表示，氧化鎵晶圓的價格比碳化硅 SiC 晶圓價格低，而且可以更加有效地控制電力。

新型碳化硅、氮化鎵等功率元件不僅可以用于充電器，還可用于通信基站、高鐵、工業(yè)設(shè)備以及電動汽車等場景，日本氧化鎵晶圓的量產(chǎn)，有利于進(jìn)一步降低電子設(shè)備成本，提高效率。