目前全球僅ASML一家廠商，能夠制造EUV光刻機(jī)。

而EUV光刻機(jī)，又是進(jìn)入7nm以下工藝時(shí)，必不可少的半導(dǎo)體設(shè)備，離開(kāi)EUV光刻機(jī)，不可能制造得出來(lái)。

而美國(guó)一直不準(zhǔn)ASML將EUV光刻機(jī)賣(mài)給我們，所以我們要進(jìn)入5nm、3nm確實(shí)是相當(dāng)困難的，因?yàn)镈UV光源畢竟采用的是193nm波長(zhǎng)的光線，多重曝光后的極限光刻，可能也只支持7nm。

所以對(duì)于我們而言，必須突破EUV光刻機(jī)才行，否則芯片工藝就會(huì)一直卡在7nm這個(gè)階段。

但要突破EUV光刻機(jī)，真的不容易，因?yàn)锳SML已經(jīng)將最為關(guān)鍵的幾大供應(yīng)鏈，綁在了自己的戰(zhàn)車(chē)上，這幾大企業(yè)，不會(huì)給ASML之外的光刻機(jī)廠商，提供技術(shù)、零件。

比如EUV光刻系統(tǒng)使用的，蔡司的布拉格透鏡等，只有蔡司能生產(chǎn)，也只賣(mài)給ASML，其它廠商買(mǎi)不到。

一定程度上而言，走ASML的路，去造EUV光刻機(jī)，相當(dāng)于絕路，走不通。

而近日，終于有新的路線出現(xiàn)了，這次是科學(xué)家們研究出了EUV光刻機(jī)中，EUV光源的替代方案，不需要采用現(xiàn)有的這種方案。

現(xiàn)有的方案是EUV-LPP方案，也就是激光等離子體EUV光源，通過(guò)二氧化碳激光器轟擊錫金屬液滴，產(chǎn)生EUV，再收集起來(lái)用來(lái)刻錄晶圓。

新的方案叫做EUV-FEL，后面三個(gè)字母不同，代表獲取EUV光線的方式不一樣。EUV-FEL采用的是自由電子激光器，即由電子加速電子束在振蕩器中發(fā)光，最后產(chǎn)生EUV光線。

這種方式，不需要二氧化碳激光器，不需要錫金屬液滴參與，裝置簡(jiǎn)單一些，且成本也低很多， 功率轉(zhuǎn)化效率高很多。

更重要的是，EUV-FEL技術(shù)產(chǎn)生的光源，不僅僅能夠產(chǎn)生13.5nm波長(zhǎng)的EUV光線，還能夠產(chǎn)生6.6-6.7nm波長(zhǎng)的BEUV光線。

我們知道光刻機(jī)光線的波長(zhǎng)越短，分辨率越高，能夠制造的芯片也就越先進(jìn)。

可見(jiàn)，如果采用這種全新的EUV-FEL技術(shù)，不僅能繞開(kāi)ASML目前給行業(yè)構(gòu)建的壁壘，繞開(kāi)蔡司等被ASML綁定的供應(yīng)鏈，還有可能研發(fā)出比EUV光刻機(jī)更先進(jìn)的BEUV光刻機(jī)。

目前EUV-FEL是一種新技術(shù)，美國(guó)、日本、歐洲都有機(jī)構(gòu)在研究，也沒(méi)有被壟斷的供應(yīng)鏈，一切都在全新的，可以說(shuō)大家處于同一起跑線。

也意味著，目前國(guó)內(nèi)也可以研究這項(xiàng)技術(shù)，且這種EUV-FEL電子加速電子束技術(shù)、振蕩器技術(shù)，我們并不落后，我們也完全有希望在這一技術(shù)上，實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)的。

更重要的是，前面已經(jīng)提到了，這種EUV-FEL技術(shù)，可以生產(chǎn)出更短波長(zhǎng)的BEUV光源，如果用這種光源來(lái)制造光刻機(jī)，那就比EUV光刻機(jī)更厲害了，那么我們的光刻機(jī)難題，就不再是難題了。

所以加油吧，機(jī)會(huì)來(lái)了，全新的技術(shù)，等著我們?nèi)ネ黄?，一旦攻克，那我們?dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遇到的一切打壓，都不起作用了。