三大因素帶動(dòng),將極大緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊情況
關(guān)鍵詞: 三星 臺(tái)積電 先進(jìn)封裝
12 月 12 日消息,根據(jù)集邦咨詢(xún)最新報(bào)告,受到三星加入競(jìng)爭(zhēng)、臺(tái)積電提高產(chǎn)能,以及部分 CSP 更改設(shè)計(jì)這三大因素影響,將極大緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張情況。


業(yè)界人士認(rèn)為,當(dāng)前全球 AI 芯片產(chǎn)能吃緊,其中最主要的原因是先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足。而由于三大因素,先進(jìn)封裝產(chǎn)能荒的情況有望提前結(jié)束。
三星加入競(jìng)爭(zhēng)
在美光和 SK 海力士之外,三星正計(jì)劃推進(jìn) HBM 技術(shù)。三星公司通過(guò)加強(qiáng)和臺(tái)積電的合作,兼容 CoWoS 工藝,擴(kuò)大 HBM3 產(chǎn)品的銷(xiāo)售。
三星于 2022 年加入臺(tái)積電 OIP 3DFabric 聯(lián)盟,將擴(kuò)大其工作范圍,為未來(lái)幾代 HBM 提供解決方案。
臺(tái)積電提高產(chǎn)能
臺(tái)積電與 OSAT(Outsourcing Semiconductor Assembly And Test)的持續(xù)合作正在加速 WoS 產(chǎn)能擴(kuò)張。
英偉達(dá)在最近的一次財(cái)經(jīng)電話(huà)會(huì)議上證實(shí),它已經(jīng)認(rèn)證了其他 CoWoS 先進(jìn)封裝供應(yīng)商的能力作為備援。
業(yè)界推測(cè),認(rèn)證其他 CoWoS 先進(jìn)封裝供應(yīng)商的部分前段與后段產(chǎn)能,有助臺(tái)積電與伙伴明年第 1 季度 CoWoS 月產(chǎn)能達(dá)到約 4 萬(wàn)片的目標(biāo)。
部分 CSP 更改設(shè)計(jì)
業(yè)內(nèi)人士指出,早期 AI 芯片短缺主要源于三個(gè)因素:先進(jìn)封裝能力不足、HBM3 內(nèi)存容量緊張、部分 CSP 反復(fù)下單。現(xiàn)在,與這些因素相關(guān)的障礙正在逐漸被克服。
從報(bào)道中獲悉,除了臺(tái)積電和三星承諾提高先進(jìn)封裝產(chǎn)能外,CSP 還在調(diào)整設(shè)計(jì),減少先進(jìn)封裝的使用,并取消之前的重復(fù)訂單 —— 所有這些都是關(guān)鍵因素。
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