目前芯片制造領域的技術，主要就是光刻技術。

而光刻技術下，光刻機的分辨率就決定了芯片的工藝，比如7nm以下的芯片，必須用到EUV光刻機；而7-45nm的芯片，使用浸潤式光刻機；這些都是與精度一一對應的。

后來佳能想搞NIL納米壓印技術，像我們日常見到的打印機打印圖紙的技術一樣，把芯片的電路圖，直接打印到硅晶圓片上去。這種技術，不需要光刻機，也能實現(xiàn)7nm以下，但進度不太理想，目前還停留在65nm以上工藝。

但是，不用光刻機，生產芯片的夢想，科學家們一直有，甚至也一直在努力，想讓它變成現(xiàn)實。而在中國，網友們做夢都希望有一天，能夠不使用EUV光刻機，就能夠生產7nm以下的芯片，這樣我們就不怕被美國和ASML卡脖子了。

但要實現(xiàn)這個夢實在是太難了，之前歐洲提出了一種技術，叫DSA自生長技術，就是用一種新型材料，直接在硅晶圓上按照電路圖，把不要的部分腐蝕掉……

但直到目前，依然還只是概念、理論性的階段，沒有什么實質性的進展。

而近日，有一位華裔科學家，在這種芯片自生長技術上，又有了新的突破。

麻省理工學院（MIT）的華裔科學家朱家迪領軍的原子級晶體管研究于 4 月取得突破。

這個項目采用氣象沉淀逐層堆疊工藝生產，不再需要使用光刻機，即可生產出一納米甚至以下制程的芯片。

這種技術，一方面是提出一種新的二維半導體晶體管技術，這種二維半導體晶體管尺寸縮小到只有目前的千分之一大小，且功耗也只有目前的千分之一。

另外一方面，是有一種新的材料，叫做金屬二硫化物 (TMD) 材料層，這種材料可以直接“生長”到硅晶圓上，讓二維半導體晶體管不需要光刻，就直接長出來了。

所以它的基礎，還是之前歐洲提出來的那種DSA自生長技術，只是晶體管技術、材料技術變了，離量產實現(xiàn)，又近了一步。

當然，話又說回來，這種高科技技術，從理論提出，到原型確定，再到最終量產，可能需要很久，也許幾年，也許十幾年，也許幾十年，所以想要短時間內就實現(xiàn)不太現(xiàn)實。

所以，讓子彈先飛一會，大家先別高興的太早，更不要自嗨，先當一個新聞看看熱鬧就好。不過，假如這種技術能夠真正的量產，那么全球芯片產業(yè)的格局都會被改變，對中國芯片產業(yè)絕對是大利好。