聯(lián)電回應(yīng)“赴日本建設(shè)新晶圓廠”傳聞:并無(wú)此事
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 晶圓 聯(lián)電
2 月 19 日消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,聯(lián)電就“考慮投資 5000 億日元(當(dāng)前約 256 億元人民幣)在日本三重縣現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)建設(shè)一座新的晶圓廠”的消息回應(yīng)稱,并無(wú)此事。
聯(lián)電 2019 年全資收購(gòu)富士通半導(dǎo)體旗下位于日本三重縣桑名市的 12 寸晶圓廠并成立 USJC 子公司。2022 年 4 月,聯(lián)電宣布與日本電裝(DENSO)合作,在日本 USJC 廠內(nèi)建設(shè)第一條 12 寸晶圓生產(chǎn)線。

臺(tái)媒指出,目前大多數(shù) IGBT 都是以 8 寸晶圓生產(chǎn),雖然 2022 年下半年來(lái) 8 寸晶圓產(chǎn)能供給過(guò)剩,但中長(zhǎng)期來(lái)看因產(chǎn)能難以擴(kuò)充,市況好轉(zhuǎn)及需求復(fù)蘇后仍面臨產(chǎn)能不足問(wèn)題。
法人表示,過(guò)去以 8 寸或 6 寸晶圓生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體,近年開(kāi)始轉(zhuǎn)以 12 寸晶圓生產(chǎn)但難度更高,聯(lián)電與 DENSO 合作如果成功,將提供有效產(chǎn)能滿足車(chē)用芯片長(zhǎng)期需求。
聯(lián)電 2023 年 1 月?tīng)I(yíng)收滑落至 195.9 億新臺(tái)幣(當(dāng)前約 44.27 億元人民幣),環(huán)比減少 6.47%,同比減少 4.31%,創(chuàng) 15 個(gè)月來(lái)新低。
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