隨著高通推出Snapdragon 8 Gen1 Plus，代工廠轉(zhuǎn)為臺(tái)積電（TSMC）以后，許多人猜測(cè)雙方的關(guān)系可能會(huì)因高通的訂單削減而疏遠(yuǎn)。不過(guò)隨著三星3nm GAA工藝即將量產(chǎn)，似乎雙方之間的業(yè)務(wù)又出現(xiàn)了新的轉(zhuǎn)機(jī)。

據(jù)The Elec報(bào)道，三星3nm GAA工藝的首個(gè)客戶是上海磐矽半導(dǎo)體，而高通也對(duì)該工藝流程進(jìn)行了預(yù)訂，以便隨時(shí)采用。三星在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，與現(xiàn)有的FinFET相比，允許更精確地控制電流，且柵極寬度更窄，可實(shí)現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。

高通轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的原因不難理解，由于三星4nm工藝的良品率僅為35%左右，與臺(tái)積電超過(guò)70%的良品率相比差太多，同時(shí)臺(tái)積電的4nm工藝也更省電，高通出于性能與穩(wěn)定供貨的考慮，更換了代工廠。雖然高通很可能會(huì)在Snapdragon 8 Gen2上繼續(xù)選用臺(tái)積電，未來(lái)也會(huì)進(jìn)一步采用臺(tái)積電的3nm工藝，但現(xiàn)階段先進(jìn)半導(dǎo)體工藝有著較高的不確定性，讓高通需要保留備份方案。

作為臺(tái)積電的第一大客戶，蘋(píng)果占據(jù)了臺(tái)積電相當(dāng)大部分的3nm產(chǎn)能。同時(shí)臺(tái)積電的3nm工藝在生產(chǎn)上稍微落后于三星，良品率問(wèn)題同樣值得關(guān)注。據(jù)稱高通也在觀察三星3nm工藝的情況，若臺(tái)積電方面遇到問(wèn)題，可能就會(huì)根據(jù)三星的進(jìn)展改變策略。