據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子正計(jì)劃通過(guò)在未來(lái)三年內(nèi)打造3納米GAA（Gate－all－around）工藝來(lái)追趕世界第一大代工公司臺(tái)積電。

繼2022年上半年將GAA技術(shù)應(yīng)用于其3納米工藝后，三星計(jì)劃在2023年將其引入第二代3納米芯片，并在2025年大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片。臺(tái)積電的戰(zhàn)略是在2022年下半年使用穩(wěn)定的FinFET工藝進(jìn)入3納米半導(dǎo)體市場(chǎng)，而三星電子則押注于GAA技術(shù)。

三星電子正押注于將GAA技術(shù)應(yīng)用于3納米工藝，以追趕臺(tái)積電。據(jù)報(bào)道，這家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭在6月初將3納米GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺(tái)積電的差距。3納米工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了15％和30％，同時(shí)與5納米工藝相比，芯片面積減少了35％。

業(yè)內(nèi)人士稱，如果三星在基于GAA的3納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則改變者。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從2納米芯片開(kāi)始引入GAA工藝，并在2026年左右發(fā)布第一個(gè)產(chǎn)品。對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，未來(lái)三年將是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。