6 月 14 日消息，3D NAND 200 層堆棧以上賽局加速展開，存儲器大廠美光 (Micron) 此前提出業(yè)界首家 232 層堆棧 3D NAND 閃存將于 2022 年底前率先量產(chǎn)。

據(jù) DigiTimes 報(bào)道，近日市場傳言稱，長江存儲將跳過原定 192 層技術(shù)，直接挑戰(zhàn) 232 層 NAND，并于 2022 年底量產(chǎn)。

據(jù)報(bào)道，存儲器相關(guān)業(yè)者指出，如此一來，長江存儲可望趕上其他 NAND 大廠如三星電子、鎧俠等的腳步，并于 2023 年將逐步拓展 232 層 NAND 產(chǎn)能比重，為全球 NAND 產(chǎn)業(yè)競賽投下重磅炸彈。

長江存儲已推出 128 層 3D NAND 閃存，此前有消息稱已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的 192 層 3D NAND 閃存的樣品。

此外，市場觀察人士認(rèn)為，三星電子預(yù)計(jì)將在 2022 年晚些時(shí)候加入 200 層以上 3D NAND 閃存的競爭。