5月5日消息，格芯與美國國防部簽署了一項價值1.17億美元的協(xié)議，為美國國防部提供差異化的45nm SOI平臺制造的半導體芯片。這些芯片將用于美國國防和航空航天領域的敏感應用。首批芯片目標在2023年開始交付。

據(jù)報道，根據(jù)協(xié)議，這些芯片制造將從格芯位于紐約東菲什基爾的Fab 10轉(zhuǎn)移到紐約馬耳他的Fab 8。除了為國防部提供不間斷的供應外，這還將使得格芯在Fab 10被安森美收購后，繼續(xù)向客戶供應其45nm SOI平臺制造的芯片。

格芯首席執(zhí)行官Tom Caulfield在一份新聞稿中說，“這一新的供應和技術轉(zhuǎn)讓協(xié)議展示了強有力的公私伙伴關系，這是一個極好的例子，說明聯(lián)邦政府在半導體制造領域的合作和投資可以對加強國內(nèi)供應鏈產(chǎn)生影響。我們的合作關系促進了國家經(jīng)濟，同時也確保了美國政府在航空航天、國防和其他關鍵任務應用方面所需的芯片的戰(zhàn)略和可靠供應?！?/span>