深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司

穩(wěn)壓二極管為什么電壓不穩(wěn)？

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）因其在反向擊穿區(qū)具有相對穩(wěn)定的電壓特性，被廣泛應(yīng)用于電路基準(zhǔn)源、過壓保護(hù)和小電流穩(wěn)壓場合。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，許多工程師或初學(xué)者會發(fā)現(xiàn)，穩(wěn)壓二極管在電路中的電壓并不總是像教科書里描述的那樣穩(wěn)定：有時(shí)電壓偏高，有時(shí)偏低，甚至隨負(fù)載和溫度變化而波動(dòng)。那么，造成穩(wěn)壓二極管電壓不穩(wěn)的原因究竟有哪些呢？

2025-08-27 閱讀：814

浪涌多次作用后，TVS參數(shù)會不會漂移？

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體-瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一類專門用于吸收瞬態(tài)過電壓、保護(hù)電路中敏感元件的器件。它通過在過壓瞬間迅速擊穿導(dǎo)通，將能量分流至地，從而限制電壓尖峰幅度。許多工程師在使用過程中常常會問：如果系統(tǒng)多次遭受浪涌沖擊，TVS的參數(shù)會不會發(fā)生漂移？它還能保持原有的防護(hù)性能嗎？

2025-08-22 閱讀：999 關(guān)鍵詞： TVS 參數(shù)漂移浪涌沖擊防護(hù)性能應(yīng)對策略

MDDTVS參數(shù)選型不清楚的常見問題解析

在電子產(chǎn)品的防護(hù)設(shè)計(jì)中，MDD瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）被廣泛應(yīng)用于應(yīng)對靜電放電（ESD）、浪涌、電快速脈沖（EFT）等瞬態(tài)干擾。然而，許多工程師在選型過程中往往只關(guān)注某一兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，而忽略了TVS在不同應(yīng)用條件下的綜合特性，導(dǎo)致實(shí)際防護(hù)效果與預(yù)期差距較大，甚至引發(fā)器件失效或系統(tǒng)不穩(wěn)定。下面是TVS選型不清楚的典型問題。

2025-08-21 閱讀：1260 關(guān)鍵詞： TVS選型工作電壓浪涌能力封裝參數(shù) 可靠性

并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡單的“多加幾個(gè)”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并聯(lián)MOSFET的性能。

2025-07-04 閱讀：7007 關(guān)鍵詞： MOSFET并聯(lián) 均流設(shè)計(jì) 寄生參數(shù) 熱平衡性能優(yōu)化

MDD肖特基二極管的雪崩耐量及其工程意義

在功率器件的參數(shù)表中，我們常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指標(biāo)，用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二極管的規(guī)格書中，“雪崩耐量”并不總是顯式列出，甚至很多工程師會忽略這一特性。實(shí)際上，在高壓、大電流、感性負(fù)載場景下，SBD 也可能面臨雪崩沖擊，如果忽視這一點(diǎn)，輕則效率下降，重則器件擊穿失效。

2025-08-14 閱讀：1236 關(guān)鍵詞：肖特基二極管雪崩耐量功率器件電路設(shè)計(jì) 可靠性