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竊取600項DRAM工藝，三星前工程師泄露核心技術被判7年，被罰2億韓元
邁為股份：公司高選擇比刻蝕設備及混合鍵合設備等可用于DRAM工藝
微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
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