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三星突破10nm以下DRAM內(nèi)存技術(shù)
美光推出1B工藝節(jié)點(diǎn)的DDR5DRAM內(nèi)存速度可達(dá)7200MT/s
DRAM內(nèi)存2個月跌了57%,三星、SK海力士、美光愁哭了
年內(nèi)已跌30% DRAM內(nèi)存要繼續(xù)暴降 庫存堆積如山
DRAM內(nèi)存拐點(diǎn)到了,三星的好日子不多了?
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