DMN3032L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有5.8A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源驅動電壓適配條件下導通電阻低至22毫歐。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于電源開關、負載控制以及便攜式電子設備中的高效功率管理場景。器件在中等電流應用中表現出良好的熱穩定性和開關響應特性。
