AON7200L_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有45A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6mΩ，在柵源電壓（VGS）高達±20V時仍能穩定工作。器件采用標準封裝，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景，其低導通損耗有助于提升系統整體能效，并簡化散熱設計。
