IPD060N03LGBTMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有助于有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于高電流、高頻率的開關應用場景，如電源管理模塊、電機驅動電路及各類高效能電子設備中的功率轉換環節，能夠在緊湊布局中實現穩定可靠的性能表現。
