NVMFS4841NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，在柵源電壓達20V時可穩定工作。其低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。適用于高電流、低電壓環境下的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場合，能夠在緊湊布局中實現良好的熱性能與電氣特性。
