AON7764_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和100A的最大連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至2.5毫歐，有效減少導通狀態下的功率損耗。其高電流承載能力與極低導通阻抗使其適用于對效率和熱管理要求嚴苛的電源系統，如大電流負載開關、高效DC-DC轉換器及高密度功率模塊，在頻繁開關操作中仍能保持穩定性能。
