RSS130N03FU6TB_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5mΩ，并支持最高20V的柵源驅動電壓（VGS）。低導通電阻有助于在高效率電源轉換和負載開關等應用中顯著降低導通損耗，同時良好的電壓驅動兼容性使其易于與多種控制電路配合使用。適用于對體積、溫升及能效有較高要求的便攜式設備、計算平臺及消費類電子產品中的功率管理模塊。
