NTD4963NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。較低的導通電阻有助于在高電流工作條件下減少功率損耗，提升整體能效。其電氣特性適合用于對開關速度和熱穩定性有一定要求的電源轉換系統，可有效支持頻繁開關操作，并在緊湊型電子設備中實現可靠的功率控制與分配。
