IRLR8729TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。憑借高電流承載能力和極低的導通損耗，該器件適用于對功率效率和熱性能要求較高的場合，如大電流電源模塊、高效DC-DC轉換器、電動工具驅動電路以及高密度計算設備的供電系統，能夠支持穩定且高效的電力傳輸與控制。
